Photodiodes PIN InGaAs

Les photodiodes pour le proche infrarouge (NIR) sont produites à partir d’un matériau à semi-conducteur d'InGaAs. Elles peuvent détecter le rayonnement d'incident dans la gamme de longueurs d'onde comprise entre 900 et 1700 nanomètres. Les designs spécifiques-client sont proposés pour des longueurs d’onde de 500 nanomètres à 1700 nanomètres.

Receiver InGaAs PIN avec Connectérisation Fibre

1100-1700 nm. Large gamme de receiver InGaAs PIN avec connectorisation sur fibre ou sur sortie avec connecteur optique.

InGaAs 900 - 1700 nm (Standard)

Nos composants InGaAs sont caractérisés par une forte sensibilité entre 900 nm et 1700 nm.

InGaAs étendu 800 - 2500 nm

La série de détecteurs J23 est constituée de photodiodes InGaAs de haute qualité dans une gamme de longueur d’onde de 800-2500 nm.

InGaAs APD 1100 - 1700 nm

Les photodiodes à avalanche InGaAs de la série IAE détectent dans la gamme spectrale de 1100 nm à 1700 nm. Les APDs de la série IAG présentent des seuils de dommages particulièrement élevés.

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