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Photodiodes à Avalanche

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles. Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.

Les APDs en silicium sont utilisées entre 250 nm et 1100 nm. L'effet d'avalanche de ces photodiodes les rend bien adaptées pour la détection des intensités de lumière extrêmement faibles.

Les APDs InGaAs sont utilisées pour détecter la lumière de 1100 nm à 1700 nm. Elles présentent des propriétés de bruit sensiblement plus faible que des diodes germanium.

Les récepteurs APD possèdent un préamplificateur intégré et sont montées dans un boîtier compact hermétiquement scellé.

Détection de lumière fiable et rapide

Des modules de comptage de photon unique vendus sous le nom de marque COUNT. COUNT offrent des taux de comptage phénoménalement bas.

Ces modules peu coûteux peuvent produire des tensions jusqu'à 1000 V. Ces contrôleurs polarisés numériques sont employés, en particulier, dans l'utilisation d'APD et de PMT.

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