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NIR-Detektoren 800 nm - 2,5 µm
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InGaAs 900 - 1700 nm (standard)
Unsere InGaAs Bauereihe zeichnet sich durch eine hohe Empfindlichkeit zwischen 850 nm und 1700 nm aus
InGaAs 900 - 1700 nm (high speed)
12 GHz bei 32 µm aktivem Durchmesser
Extended InGaAs 800 - 2500 nm
Die Detektoren der J23-Baureihe sind qualitativ hochwertige Indiumgalliumarsenid-Photodioden für den Wellenlängenbereich von 800 bis 2600 nm
InGaAs APD 1100 - 1700 nm
Die IAE-Serie eignet sich für den Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Durchmesser: von 80 µm und 200 µm; Lieferung im TO-46 Gehäuse oder auf Keramiksubstrat.
Germanium 800 - 1800 nm
Ge-Photodioden, - die preiswerte Alternative zu InGaAs
Photodetektoren aus Silizium und Germanium
Kalibrierte Photodetektoren aus Silizium und Germanium zur Messung geringster Leistungen
 
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