| SiC-Detektoren (200 - 400 nm) |  |
| SiC-UV-Photodioden weisen im Vergleich mit Bauelementen auf Basis von Si, TiO2, GaN oder Diamant unschlagbare Vorteile auf | |
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| SiC-Quadrantendioden (UV) |  |
| Die Vier-Quadranten-Diode JQC4 deckt einen Spektralbereich von 210 bis 380 nm ab | |
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| Photodetektoren aus Silizium und Germanium |  |
| Kalibrierte Photodetektoren aus Silizium und Germanium zur Messung geringster Leistungen | |
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