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Si APDs 200 nm - 1100 nm

Silizium Avalanche Photodioden werden für den Wellenlängenbereich zwischen 250 nm und 1100 nm eingesetzt. Durch den Lawineneffekt eignen sie sich zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten.

Die Si-Avalanche Photodioden eignen sich je nach verwendeter Halbleiterstruktur für den Spektralbereich von 200 nm bis 1100 nm. Durchmesser: von 230 µm bis 16 mm.

Die Silizium Avalanche Photodioden der SAP Serie werden hauptsächlich für das Photon Counting eingesetzt. Höchste Effizienz und niedrigste Dunkelstromrate sind die Kennzeichen dieser Serie.

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