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Si APDs

Silizium Avalanche Photodioden werden für den Wellenlängenbereich zwischen 260 nm und 1100 nm eingesetzt. Durch den Lawineneffekt eignen sie sich zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten.

Die Si-Avalanche Photodioden eignen sich je nach verwendeter Halbleiterstruktur für den Spektralbereich von 260 nm bis 1100 nm. Durchmesser: von 230 µm bis 16 mm.

Die Silizium Avalanche Photodioden der SAP Serie werden hauptsächlich für das Photon Counting eingesetzt. Höchste Effizienz und niedrigste Dunkelstromrate sind die Kennzeichen dieser Serie.

Speziell für (bio-)medizinische Anwendungen, bei denen kleinste Signale im kurzwelligen UV/blau Bereich detektiert werden müssen, ist der Detektor entwickelt worden.

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