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PIN Dioden

PIN-Fotodioden wandeln Licht in einen Strom um – ohne dass eine Vorspannung angelegt werden müsste. Als preiswertes Detektormaterial im VIS-Bereich ist Silizium weit verbreitet. Bei höheren Ansprüchen wird InGaAs eingesetzt – es deckt den breitesten Spektralbereich von VIS bis NIR ab. Speziell für den UV-Bereich bieten wir Siliziumcarbid als „solar-blind“ Detektor an.

Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch. Der reguläre Empfindlichkeitsbereich beträgt 500 nm bis 1700 nm, bei den Extended InGaAs Dioden geht er bis 2600 nm.

Die Si Photodioden sind in Sperrrichtung betriebene PIN-Dioden. Sie detektieren Licht im Bereich von 250 nm bis 1,1 µm. Durch die einfallende Strahlung kommt es zu einem messbaren Photostrom.

Die UV Photodioden werden aus dem Material SiC gefertigt. Es sind Detektoren mit Filter verfügbar, die ausschließlich im UV-C, UV-B oder UV-A-Bereich empfindlich sind.

Ethernet Transmitter/Receiver sowie Si-/Ge-/InGaAs Photodioden mit Faseranschluss oder im optischen Stecker für die Datenübertragung.

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