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InGaAs PIN Fotodioden

Fotodioden für den nahen Infrarot-Bereich, NIR, werden aus dem Halbleitermaterial InGaAs gefertigt. Sie können einfallende Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 900 und 1700 nm detektieren. Kundenspezifisch sind Varianten von 500 nm bis 1700 nm möglich.

1100 nm – 1700 nm. Umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receivern mit Faseranschluss oder im optischen Stecker.

Unsere InGaAs-PIN Fotodioden zeichnen sich durch eine hohe Empfindlichkeit zwischen 900 nm und 1700 nm aus.

Die Detektoren der J23-Baureihe sind qualitativ hochwertige Indiumgalliumarsenid-Photodioden für den Wellenlängenbereich von 800 bis 2600 nm

Die InGaAs Avalanche Dioden der IAE-Serie detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Die IAG-Serie zeichnet sich durch besonders hohe Zerstörschwellen aus. Lieferung im TO-46 Gehäuse.

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