Die Si Photodioden sind in Sperrrichtung betriebene PIN-Dioden. Sie detektieren Licht im Bereich von 250 nm bis 1,1 µm. Durch die einfallende Strahlung kommt es zu einem messbaren Photostrom.
Die Fotodioden detektieren einfallende Strahlung im nahen Infrarot-Bereich (NIR) zwischen 900 und 1700 nm. Kundenspezifische Varianten von 500 nm bis 1700 nm sind möglich.
Die UV Photodioden werden aus dem Material SiC gefertigt. Es sind Detektoren mit Filter verfügbar, die ausschließlich im UV-C, UV-B oder UV-A-Bereich empfindlich sind.
Germanium ist für den Wellenlängenbereich von 800 nm bis 1800 nm ausgelegt. Diese Photodioden sind die preiswerte Alternative zu InGaAs Photodioden,insbesondere bei großen aktiven Flächen.
Ethernet Transmitter/Receiver sowie Si-/Ge-/InGaAs Photodioden mit Faseranschluss oder im optischen Stecker für die Datenübertragung.