Silizium PIN Fotodioden

Empfindlichkeitsbereich 200 nm - 1100 nm. Viele Sonderoptionen und kundenspezifische Varianten möglich.

Die Si-Avalanche Photodioden eignen sich je nach verwendeter Halbleiterstruktur für den Spektralbereich von 255 nm bis 1100 nm. Durchmesser: von 230 µm bis 16 mm.

Auf Grund der kleinen Flächen der einzelnen Segmente eignen sich Differentialdioden und Quadrantendioden für die hochauflösende und schnelle Positionsmessung

Silizium-Photodioden und Arrays mit Szintillatoren für X-Ray Anwendungen in der Sicherheits- und Medizintechnik.

Detektor-Arrays aus Silizium mit 12, 16 oder 32 Einzelelementen.

High-Speed Photoreceiver für optische Hochgeschwindigkeitsmessungen. Detektion von 320 nm - 1000 nm.