LASER COMPONENTS DG Inc. fertigt seit 2004 Avalanche Photodioden in Phoenix, Arizona. Die komplette Prozesskette ist in eigener Hand. Die Detektoren beruhen auf einer eigens entwickelten Halbleiterstruktur. Das Standardprogramm umfasst Si-Epitaxie und Reach-Through APDs mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 230 µm bis 3,0 mm. Die aus eigener Produktion stammenden Si-Avalanche-Dioden eignen sich besonders zum Erkennen geringer Lichtmengen, bis hin zu einzelnen Photonen.

Zu den Hauptanwendungsfeldern zählen Photon Counting, Laserradarsysteme und biomedizinische Applikationen.

Für den NIR-Bereich werden InGaAs-APDs mit einem Durchmesser von 80 µm und 200 µm produziert.