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InGaAs PIN Fotodioden

Fotodioden für den nahen Infrarot-Bereich, NIR, werden aus dem Halbleitermaterial InGaAs gefertigt. Sie können einfallende Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 900 und 1700 nm detektieren. Kundenspezifisch sind Varianten von 500 nm bis 1700 nm möglich.

Extended InGaAs 800 - 2500 nm

Die Detektoren der J23-Baureihe sind qualitativ hochwertige Indiumgalliumarsenid-Photodioden für den Wellenlängenbereich von 800 bis 2600 nm

InGaAs PIN Fotodioden

Die Detektoren der J18-Baureihe sind qualitativ hochwertige Indiumgalliumarsenid-Photodioden für den Wellenlängenbereich von 800 bis 2600 nm. Die J23-Photodioden können in einem breiten Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +60 °C eingesetzt werden. Sie zeichnen sich durch hohe Responsivity, exzellente Linearität, schnelle Responsezeiten, hervorragende Langzeitstabilität und gleichförmige Response aus.

Die spektrale Empfindlichkeit der InGaAs Photodioden der J23-Serie wurde bei fast allen Modellen auf den VIS-Bereich ausgedehnt! Bei 500 nm wird damit noch eine Empfindlichkeit von 0,1 A/W erreicht.

Hauptanwendungen sind:

  • NIR-FTIR
  • Lebensmittel- und Kunststoffanalyse
  • Blutanalyse
  • Umweltanalytik

Zu den Schlüsseleigenschaften zählen:
  • Stabile Response über der Temperatur
  • Breiter dynamischer Bereich
  • Hohe Linearität
  • Keine Vorspannung erforderlich

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