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Impulslaserdioden

Die gepulsten Laserdioden sind in den Wellenlängen 850 nm, 905 nm und 1550 nm verfügbar. Alle sind von der Laser Components Produktionsstätte in Kanada entwickelt und produziert worden. Kundenspezifische Anpassungen lassen sich daher besonders einfach umsetzen.

Impulslaserdioden bei 1550 nm

For military rangefinders

Gepulste Laserdioden (PLD) bei 1550 nm bis 40 W

1550 nm Impulslaserdioden (PLD) werden in Rangefinder-Systemen eingebaut, die aufgrund ihrer Wellenlänge auch bei hohen Leistungen noch im augensicheren Bereich arbeiten können. Handelsübliche Nachtsichtgeräte können diese Wellenlänge nicht erfassen, womit diese PLDs optimal für militärische Laserrangefinder oder zur Freund/Feind Erkennung geeignet sind.

Als Basismaterial für die 1550-Serie wird InP mit zusätzlichen InGaAsP-Schichten verwendet. Die InGaAsP-Struktur garantiert höchste Zuverlässigkeit, sehr gute Strahleigenschaften und eine hohe Temperaturstabilität. Der weite Arbeitstemperaturbereich liegt zwischen – 45°C und + 85°C. Die 1550 nm Impulslaserdioden sind in ein TO-18 Gehäuse eingehaust. Optional in 9 mm Gehäusen oder kundenspezifischen Ausführungen.

155G-Serie:

Mit der Stack-Ausführung liegen die Standarddioden etwa 15 - 20% über den bisher auf dem Markt angebotenen Leistungen.

Weitere Eigenschaften:

  • Effizienz: 0.35 W/A
  • Spitzenleistungen: mindestens 45 W bei einer Pulslänge von 150 ns
  • Strahldivergenz: hervorragende 12° x 30°
  • Ausgangsleistung Single-Emitter: 3 W bis 12 W
  • Ausgangsleistung Stapelaufbauten: 10 W und 45 W

 

HI-Serie:

Die High Intensity PLDs mit einer Effizienz von 0.5 W/A kommen als Einzelemitter bereits auf eine Spitzenleistung von 35 W bei einer Strahldivergenz von lediglich 12° x 25°.

 

Multi Junction PLDs:

Die Multi-Junction Lasertechnologie ähnelt der nanostack Technologie. Ein Laserdiodenchip beinhaltet mehrere epitaktisch integrierte Emitter. Die 155G1S2J02x erzielt mit zwei Emittern eine Ausgangsleistung von 5 W (@ 150 ns, df= 0.1%) bei einer Streifengröße von nur 50µm x 7µm. Bei kürzeren Pulslängen lässt sich die optische Spitzenleistung entsprechend übersteuern.

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Die Divergenz der schnellen Achse wurde durch die zusätzliche Montage einer FAC (Fast Axis Collimation) Linse optimiert, die unmittelbar vor dem Laserdiodenchip montiert ist. Abhängig von der eingesetzten Linse lassen sich Divergenzen von 3,8 mrad realisieren. Besonders vorteilhaft ist die Integration von Chip und Linse in einem kleinen, hermetisch abgeschlossenem TO-46 Gehäuse. Dieses besteht problemlos Beschleunigungen von über 1000 g/ms, wie sie in der Militärtechnik gefordert werden.

Bezeichnung / Datenblatt Wellenlänge Leistung Gehäuse
>> 155G1S02FP-62/27-F-0-01 1550 nm
4 W Pigtail or Receptacle
>> HI155G1S04FP-10/22-F-0-01 1550 nm
4.5 W Pigtail or Receptacle
>> HI155G1S04FP-10/22-L-0-01 1550 nm
6.5 W Pigtail or Receptacle
>> 155G1S02X 1550 nm
7 W Other
>> 155G1S02SCX 1550 nm
7 W S+FAC
>> 155G1S04X 1550 nm
9.5 W Other
>> 155G1S04SCX 1550 nm
9.5 W S+FAC
>> HI155G1S04X 1550 nm
10 W Other
>> HI155G1S04SCX 1550 nm
10 W S+FAC
>> HI155G1S07X 1550 nm
16 W Other
>> 155G1S07X 1550 nm
16 W Other
>> HI155G1S07SCX 1550 nm
16 W S+FAC
>> 155G1S07SCX 1550 nm
16 W S+FAC
>> 155G1S14X 1550 nm
28 W Other
>> 155G1S14SCX 1550 nm
28 W S+FAC

Ihr Ansprechpartner

Winfried Reeb

+49 (0) 8142 2864-42


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