Impulslaserdioden bei 905 nm
905 nm Einzelemitter, Stapelaufbauten und Multi-Junction Pulslaserdioden bis zu 210 W
Impulslaserdioden
LASER COMPONENTS Canada produziert High-Power Impulslaserdioden (PLD) bei 905 nm. Durch die AlGaAs-Struktur der 905-Serie werden höchste Zuverlässigkeit und Temperaturstabilität sowie beste Strahleigenschaften erreicht. Geliefert werden diese 905 nm PLDs in einem TO-18, 5.6 mm, 9 mm, 8 - 32 Koax Gehäuse oder als Chip auf Keramikträger. Kundenspezifische Versionen und andere Wellenlängen sind auf Anfrage erhältlich.
Anwendung finden die Laserdioden in der Entfernungsmessung, bei der Geschwindigkeitskontrolle, beim Laser Radar, bei Sicherheitsscannern und Laserlichtvorhängen oder in Test- und Messsystemen.
Die Impulslaserdioden der 905D-Serie sind als Einzelelement oder Stapelaufbau erhältlich. Bei einer Effizienz von 1 W/A erreichen die Einzelelemente eine Spitzenleistung von 34 W, die Stack-Ausführungen bis zu 130 W bei einer Pulslänge von 150 ns und einem Duty Cycle von 0.1%.
Die Multi-Junction Impulslaserdioden ähneln der nanostack Technologie. Die PLDs von LASER COMPONENTS beeindrucken mit Spitzenleistungen bis zu 70 W bei einer Pulslänge von 150 ns aus einem einzelnen Chip.
Die 70 W-Diode basiert auf drei epitaktisch integrierten Emittern mit einer aktiven Fläche von insgesamt nur 235 x 10 µm. Weitere Versionen liefern 25 W aus 85 x 10 µm sowie 50 W aus 160 x 10 µm. Aufgrund der kleinen Fläche lässt sich die Laserleistung einfach in eine Faser einkoppeln und mit Mikrooptiken kombinieren.
Höchste Zuverlässigkeit, gute Übersteuerbarkeit und eine sehr präzise Chipposition im Gehäuse garantiert das hermetisch abgeschlossene TO-Gehäuse.
Spitzenleistungen von über 210 Watt bei 905 nm liefern die gestapelten Multi-Junction Impulslaserdioden. Sie basieren auf mehreren epitaktisch integrierten Emittern mit einer gesamten Austrittsöffnung von 200 µm x 10 µm. Damit liefern sie eine optimale Leistungsintensität:
Eigenschaften der Einzelemitter:
- Pulslänge: 100 ns
- Spitzenleistungen: mindestens 75 W
Eigenschaften der Stack-Versionen:
- Pulslänge: 100 ns
- Spitzenleistung: über 140 W bzw. 210 W
Beispielhafte Einsatzgebiete sind: Ceilometer, Altimeter, LIDAR, Abstandsmessungen
Qualitativ hochwertig und im hermetisch abgeschlossenen TO-56 Metallgehäuse untergebracht sind die Impulslaserdioden der UA-Serie. Durch die hohen produzierten Stückzahlen sind sie preislich konkurrenzfähig zu den PLDs im Kunststoffgehäuse. Zusätzlich zeichnen sie sich aus durch höchste Zuverlässigkeit, gute Übersteuerbarkeit, optimales thermisches Verhalten und eine sehr präzise Chipposition im Gehäuse.
Die 905DxxUA Serie erreicht als Einzelelement Ausführung eine Spitzenleistung von 6 W bis 19 W. Die Multi-Junction Versionen liefern Spitzenleistungen von 25 W, 50 W und 75 W bei jeweils 150 ns und einem Duty Cycle von 0,1%.
- High Power Pulsed Laser Diodes 905D3J09-Series (PDF, 1.1 MB)
- High End / Low Cost Pulsed Laser Diodes 905D1SxxUA-Series (PDF, 685.8 KB)
- High Power Multi-Junction Pulsed Laser Diodes 905D1S3J0XX (PDF, 281.8 KB)
- High Power Pulsed Laser Diodes 905D3J08 (PDF, 1.6 MB)
- High Power Pulsed Laser Diodes 905-Series (PDF, 439.7 KB)
- Treiberelektronik für Pulslaserdioden - Leistung auf den Punkt gebracht (PDF, 293.0 KB)
- Impuls der Zeit - Pulslaserdioden für industrielle Anwendungen (PDF, 372.3 KB)
- High Power Pulsed Laser Diodes Take on New Industrial and Commercial Applications (PHOTONICS SPECTRA) (PDF, 240.1 KB)
- Laserdioden und Photodioden optimal für die Anwendung abgestimmt (PDF, 199.6 KB)
- Über Kimme und Korn (PDF, 334.4 KB)
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