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InGaAs PIN Fotodioden

Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und –in Abstufungen- bis zu 2600 nm für das extended InGaAs. Varianten für die Datenübertragung sind nicht panchromatisch.

InGaAs 500 - 2600 nm

IR- Fotodioden mit hervorzuhebender Quanteneffizienz. LASER COMPONENTS entwickelt und fertigt Fotodioden im Spektralbereich bis 2600 nm.

InGaAs PIN Fotodioden

Bei der Entwicklung der Baureihen IG22 und IG26 wurde besonderer Wert auf die Quanteneffizienz gelegt. Neben den Hauptbaureihen IG17 (bis 1700 nm), IG22 (bis 2200 nm) und IG26 (bis 2600 nm) sind auf die Ergänzungsserien IG19 (bis 1900 nm) und IG24 (bis 2400 nm) erhältlich.

Hauptanwendungen der IR-Fotodioden:

  • Spektroskopie, insbesondere auch NIR-FTIR
  • Laser Monitoring
  • Berührungslose Temperaturmessung
  • Tunable Diode Laser Spectroscopy (TDLS)
  • Spektrophotometrie, z.B. zur Feuchtemessung
  • Sortierapplikationen
  • Flammenregelung

Zu den Schlüsseleigenschaften zählen:

  • Peak-Empfindlichkeiten von 1,05 A/W bis zu 1,45 A/W
  • Hoher Dynamikbereich
  • Hohe Linearität
  • Geringer Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit bis zu 0,01 %/K
  • Panchromatisch, d.h. empfindlich im VIS und NIR Bereich

LASER COMPONENTS fertigt in Tempe/Arizona eigene Fotodioden. Diese sind seit 2013 auf dem Markt und zeichnen sich durch ein sehr gutes Preis-/Leistungs-Verhältnis aus. Folgende Serien sind verfügbar:

  • IG17 Serie (500 bis 1700 nm)
  • IG19 Serie (500 bis 1900 nm)
  • IG22 Serie (500 bis 2200 nm)
  • IG24 Serie (500 bis 2400 nm)
  • IG26 Serie (500 bis 2600 nm)

Die Produktpalette ist in vielen Details aufwändig designt worden: Auf den ersten Blick auffallend sind die breite spektrale Response und die hohe Empfindlichkeit der Detektoren. Weitere Vorteile sind ein geringer Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit und eine reduzierte off-area Empfindlichkeit.  

Generell werden aktive Durchmesser von 0,25 mm bis zu 3 mm gefertigt. Angeboten werden diese in hermetischen TO-Gehäusen mit und ohne integriertem Peltierkühler, sowie als SMD-Baustein, auf einem Keramikträger oder aber auch als reiner Chip.

Bei den aktiven Flächen haben wir neben den sonst üblichen Standardgrößen von 1 mm und 2 mm eine Zwischengröße im Angebot: Sie hat einen Durchmesser von 1,3 mm. Damit ist ein Bauteil im TO-46 Gehäuse (5,3 mm Sockeldurchmesser) möglich, das bei gleichen Gehäuse-Abmessungen 70% mehr Signal liefert – das im Vergleich zu einer Fotodiode mit einer aktiven Fläche von 1 mm.

Kundenspezifische Varianten sind möglich - so z.B. die hermetische Integration von Interferenzfiltern.

Die InGaAs-Fotodioden von Laser Components sind auch als sofort einsetzbare digitale Sensormodule erhältlich.

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Ihr Ansprechpartner

Uwe Asmus

+49 (0) 8142 2864-43

u.asmus@lasercomponents.com