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InGaAs PIN Fotodioden

Fotodioden für den nahen Infrarot-Bereich, NIR, werden aus dem Halbleitermaterial InGaAs gefertigt. Sie können einfallende Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 900 und 1700 nm detektieren. Kundenspezifisch sind Varianten von 500 nm bis 1700 nm möglich.

InGaAs 900 - 1700 nm (Standard)

Unsere InGaAs-PIN Fotodioden zeichnen sich durch eine hohe Empfindlichkeit zwischen 900 nm und 1700 nm aus.

InGaAs PIN Fotodioden

Die J22 Baureihe von Judson umfasst InGaAs Dioden in der Standard Konfiguration. Sie sind hinsichtlich hoher Empfindlichkeit und niedriger Dunkelströme optimiert. Geliefert werden aktive Flächen von 40 µm bis 5 mm Durchmesser, gern auch in pertiergekühlten Assemblies für die ultimative Perfomance.

Die spektrale Empfindlichkeit der InGaAs Photodioden der J22-Serie wurde bei fast allen Modellen auf den VIS-Bereich ausgedehnt! Bei 500 nm wird damit noch eine Empfindlichkeit von 0,1 A/W erreicht.

Besondere Merkmale:

  • Aktive Flächen von 30 µm bis 5 mm Durchmesser
  • Hohe Empfindlichkeit von 850 nm bis 1700 nm
  • Große Bandbreite (bis 3,5 GHz) durch geringe Kapazität
  • Hoher Shunt-Widerstand, kleiner Dunkelstrom
  • Lieferbar in verschiedenen Gehäusebauformen
  • Lieferbar mit TE-Kühler und integriertem Vorverstärker

Zu den Anwendungen zählen:
  • Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung
  • Spektroskopie
  • Faseroptische Sensoren
  • Leistungsmesser
  • OTDR

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