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InGaAs APD 1100 - 1700 nm

Die InGaAs Lawinenfotodioden detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium Dioden haben sie ein deutlich geringeres Rauschen.

InGaAs Avalanche Diode
InGaAs APD im TO-46 Gehäuse

InGaAs APD 1100 - 1700 nm

Die InGaAs Avalanche Dioden der IAE-Serie detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Die IAG-Serie zeichnet sich durch besonders hohe Zerstörschwellen aus. Lieferung im TO-46 Gehäuse.

InGaAs APD 1100 - 1700 nm

InGaAs Avalanche Dioden detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium APDs haben InGaAs-APDs deutlich kleinere Rauscheigenschaften, bezogen auf die aktive Fläche eine höhere Bandbreite und Vorteile durch die angehobene Empfindlichkeit bis 1700 nm.

IAE-Serie
Die Fotodioden der IAE-Serie haben einen Durchmesser der aktiven Fläche von 80 µm oder 200 µm. Geliefert wird die Lawinenfotodiode im TO-46 Gehäuse oder auf einem Keramiksubstrat, welches sich leicht in eigene Hybridaufbauten integrieren lässt. Bei einer Kapazität von typisch 1 pF sind mit der IAE080x Bandbreiten von mindesten 1 GHz realisierbar. Der interne Verstärkungsfaktor des Avalanche Effekts beträgt 10, so dass kleine Signale im IR-Bereich detektiert werden können und der Messbereich von "augensicheren" Abstandsmesssystemen deutlich gesteigert wird.

IAG-Serie
Die IAG-Serie zeichnet sich durch die hohe Zerstörschwelle > 200 kW/cm² aus. Mit Detektorflächen von 80 µm, 200 µm und 350 µm liegt der Empfindlichkeitspeak bei 1550 nm.

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