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InGaAs PIN Fotodioden

Fotodioden für den nahen Infrarot-Bereich, NIR, werden aus dem Halbleitermaterial InGaAs gefertigt. Sie können einfallende Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 900 und 1700 nm detektieren. Kundenspezifisch sind Varianten von 500 nm bis 1700 nm möglich.

Rauscharme Detektoren mit Pigtail

InGaAs-PIN-Receiver mit Faseranschluss

1100 nm – 1700 nm. Umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receivern mit Faseranschluss oder im optischen Stecker.

InGaAs PIN Fotodioden

PD-LD Inc. bietet ein umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receiver mit Faseranschluss oder im optischen Stecker an.

Eigenschaften
Die rauscharmen Detektoren mit sehr hoher Empfindlichkeit sind mit einem Transimpedanzverstärker (TIA) gepaart und werden entweder in ein FC, ST oder SC Receptacle integriert oder mit Faseranschluss mit einem Kerndurchmesser von 9 µm bis 62.5 µm geliefert. Das Faserende ist entweder offen oder mit einem optischen Steckverbinder versehen (PC oder APC Polierung sind möglich).

Abhängig vom integrierten Receiver ist die Bandbreite optimiert auf

  • 155 MHz
  • 450 MHz
  • 1100 MHz
  • 2500 MHz

Der InGaAs-PIN-Chip hat dabei eine aktive Fläche von D = 75 µm. Der Einbau von kundenspezifischen Receiver ist auf Anfrage möglich.

Einsatzgebiete
Einsatzgebiet finden diese InGaAs-PIN-Receiver in der faseroptischen Telekommunikation (SONET OC-3/OC-12/OC-24/OC-48, SDH: STM1/STM3/STM6/STM12) oder in Ethernet Netzwerken.

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