InGaAs PIN Fotodioden

Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und –in Abstufungen- bis zu 2600 nm für das extended InGaAs. Varianten für die Datenübertragung sind nicht panchromatisch.

InGaAs-PIN-Receiver mit Faseranschluss

1100 nm – 1700 nm. Umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receivern mit Faseranschluss oder im optischen Stecker.

Beschreibung

PD-LD Inc. bietet ein umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receiver mit Faseranschluss oder im optischen Stecker an.

Eigenschaften

Die rauscharmen Detektoren mit sehr hoher Empfindlichkeit sind mit einem Transimpedanzverstärker (TIA) gepaart und werden entweder in ein FC, ST oder SC Receptacle integriert oder mit Faseranschluss mit einem Kerndurchmesser von 9 µm bis 62.5 µm geliefert. Das Faserende ist entweder offen oder mit einem optischen Steckverbinder versehen (PC oder APC Polierung sind möglich).

Abhängig vom integrierten Receiver ist die Bandbreite optimiert auf

155 MHz
450 MHz
1100 MHz
2500 MHz

Der InGaAs-PIN-Chip hat dabei eine aktive Fläche von D = 75 µm. Der Einbau von kundenspezifischen Receiver ist auf Anfrage möglich.

Einsatzgebiete

Einsatzgebiet finden diese InGaAs-PIN-Receiver in der faseroptischen Telekommunikation (SONET OC-3/OC-12/OC-24/OC-48, SDH: STM1/STM3/STM6/STM12) oder in Ethernet Netzwerken.