PIN Dioden

PIN-Fotodioden wandeln Licht in einen Strom um – ohne dass eine Vorspannung angelegt werden müsste. Als preiswertes Detektormaterial im VIS-Bereich ist Silizium weit verbreitet. Bei höheren Ansprüchen wird InGaAs eingesetzt – es deckt den breitesten Spektralbereich von VIS bis NIR ab. Speziell für den UV-Bereich bieten wir Siliziumcarbid als „solar-blind“ Detektor an.

Si-/Ge-/InGaAs-Photodioden und APDs mit Faseranschluss

Die Signaleinkopplung erfolgt über das Pigtail.

Abhängig von der integrierten Photodioden detektieren die Komponenten mit Pigtail zwischen 400 nm - 2100 nm.

Beschreibung

PD-LD Inc. bietet ein umfangreiches Lieferprogramm an Photodioden und APDs mit Faseranschluss oder im optischen Stecker an.

Die Detektoren sind im FC, ST oder SC Receptacle oder mit Faseranschluss mit einem Kerndurchmesser von 3 µm bis 200 µm lieferbar. Das Faserende ist entweder offen oder mit einem optischen Steckverbinder versehen (PC oder APC Polierung sind möglich).

Abhängig von der integrierten Photodioden kann das Spektrum im Bereich von

400 nm – 1100 nm: Si-Dioden
1100 nm – 1650 nm: InGaAs-Dioden
800 nm – 2100 nm: Ge-Dioden

hocheffizient bis zu einer Bandbreite von 3.5 GHz detektiert werden.

Der Einbau von kundenspezifischen Photodioden ist auf Anfrage möglich.

Anwendungen

Einsatzgebiet finden diese Detektoren in der faseroptischen Datenübertragung (CATV), in Messgeräten (OTDR), Prozesskontrolle, in optischen Sensoren oder Ausrichtsystemen.