Si-/Ge-/InGaAs-Photodioden und APDs mit Faseranschluss
Abhängig von der integrierten Photodioden detektieren die Komponenten mit Pigtail zwischen 400 nm - 2100 nm.
Detektoren mit Faseranschluss
PD-LD Inc. bietet ein umfangreiches Lieferprogramm an Photodioden und APDs mit Faseranschluss oder im optischen Stecker an.
Die Detektoren sind im FC, ST oder SC Receptacle oder mit Faseranschluss mit einem Kerndurchmesser von 3 µm bis 200 µm lieferbar. Das Faserende ist entweder offen oder mit einem optischen Steckverbinder versehen (PC oder APC Polierung sind möglich).
Abhängig von der integrierten Photodioden kann das Spektrum im Bereich von
- 400 nm – 1100 nm: Si-Dioden
- 1100 nm – 1650 nm: InGaAs-Dioden
- 800 nm – 2100 nm: Ge-Dioden
Der Einbau von kundenspezifischen Photodioden ist auf Anfrage möglich.
Anwendungen
Einsatzgebiet finden diese Detektoren in der faseroptischen Datenübertragung (CATV), in Messgeräten (OTDR), Prozesskontrolle, in optischen Sensoren oder Ausrichtsystemen.
- Silicon Avalanche Photodiode 230-500 um (PDF, 324.7 KB)
- Silicon PIN Photodiode 2.4 mm (PDF, 247.1 KB)
- Ge Avalanche Photodiode 100 um (PDF, 277.4 KB)
- InGaAs PIN Photodiode 1 mm (PDF, 713.9 KB)
- InGaAs PIN Photodiode 3 mm (PDF, 555.8 KB)
- InGaAs PIN Photodiode 45 um (PDF, 251.6 KB)
- InGaAs PIN Photodiode 75 um (PDF, 425.5 KB)
- InGaAs PIN Photodiode 300 um (PDF, 870.2 KB)
- InGaAs Photodiode Analog 2.5 GHz (PDF, 401.6 KB)
- InGaAs Avalance Photodiode 80 um (PDF, 337.5 KB)
- Silicon PIN Photodiode 500 um General Purpose (PDF, 426.0 KB)
- Silicon PIN Photodiode 500 um High Speed (PDF, 580.7 KB)
