UV Fotodioden

Die UV Photodioden werden aus dem Material SiC gefertigt. Die Detektion der Strahlung erfolgt im Wellenlängenbereich von 200 nm bis 400 nm. Es sind Detektoren mit Filter verfügbar, die ausschließlich im UV-C, UV-B oder UV-A-Bereich empfindlich sind.

SiC-Fotodioden (200 - 400 nm)

SiC-Dioden sind stabile UV-Fotodioden mit vielen Vorteilen für diesen Spektralbereich.

SiC UV-Fotodioden

SiC-Dioden sind solarblinde UV-Photodioden, die bevorzugt zur Überwachung von UVC-LEDs, -Lampen und andern UV-Quellen eingesetzt werden.

Sie zeichnen sich durch folgende Eigenschaften aus:

Typische spektrale Empfindlichkeit liegt im Bereich von 200 nm bis 355 nm
Spezielle Chipstruktur für erweiterte Empfindlichkeit bis 400 nm
Verschiedene Größen von 0,1 mm² bis 5 mm²
Hervorragende Langzeitstabilität – auch bei hohen UVC Strahlungsdosen bis 1000 W/m²
Extreme Temperaturstabilität (Dauereinsatz bis +250°C)
Anpassung der spektralen Empfindlichkeit durch Filter (UVA, UVB, UVC u.a.)
Äußerst niedriges Dunkelstrom-Niveau im fA-Bereich
Sensor isoliert vom Gehäuse
Hermetisches TO-Gehäuse
RoHS, REACH und WEEE Konformität

Einsatz der SiC-Dioden bei hohen Temperaturen

SiC-Dioden sind standardmäßig für Betriebstemperaturen bis +150°C ausgelegt. Für Anwendungen mit höheren Anforderungen (z.B. Flammenerkennung) empfehlen wir die SiC-Detektoren der UT-Serie (Ultra-High Temperature), die bis +250°C eingesetzt werden können.

SiC-Detektoren mit Filter

Für spezielle Anwendungen bieten wir SiC-Photodioden mit integrierten, strahlungsfesten Filtern an (z.B. UVC, UVB, UVA oder kombinierte Wellenlängenbereiche).

Fenstervarianten der SiC-UV-Fotodioden

Die SiC-UV-Photodioden sind mit Flachkappe oder mit Linsenkappe erhältlich.

Transimpedanzverstärker

Photodioden generieren nur sehr schwache Ströme – oft im Bereich von wenigen Nanoampere. Transimpendanzverstärker werden benutzt, um die Photoströme zu verstärken und in Spannung umzuwandeln, sodass man sie auswerten und für die gewünschten Anwendungen nutzen kann.