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LASER COMPONENTS GmbH
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82140 Olching / Germany

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Avalanche Fotodioden

LASER COMPONENTS DG Inc. fertigt seit 2004 Silizium- und InGaAs- Avalanche Photodioden in Tempe, Arizona (nahe Phoenix). Die komplette Prozesskette zur Herstellung dieser delikaten Photodioden ist in eigener Hand. Die Detektoren beruhen auf einer eigens entwickelten Halbleiterstruktur

Lawinenfotodioden

LASER COMPONENTS DG, Inc.

Testen Sie die perfekte Lawine!

LASER COMPONENTS DG Inc. fertigt seit 2004 Avalanche Photodioden in Phoenix, Arizona. Die komplette Prozesskette ist in eigener Hand. Die Detektoren beruhen auf einer eigens entwickelten Halbleiterstruktur. Das Standardprogramm umfasst Si-Epitaxie und Reach-Through APDs mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 230 µm bis 3,0 mm. Die aus eigener Produktion stammenden Si-Avalanche-Dioden eignen sich besonders zum Erkennen geringer Lichtmengen, bis hin zu einzelnen Photonen.

Zu den Hauptanwendungsfeldern zählen Photon Counting, Laserradarsysteme und biomedizinische Applikationen.

Für den NIR-Bereich werden InGaAs-APDs mit einem Durchmesser von 80 µm und 200 µm produziert.


Geschäftsführer

Dragan Grubisic

Dragan Grubisic, Geschäftsführer der LASER COMPONENTS Detector Group, Inc. hat dank seiner umfangreichen Erfahrungen die Entwicklung von einzigartigen high-performance Detektoren ermöglicht, die einen breiten Anwendungsbereich finden.