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Nouvelle Photodiode Avalanche Silicium à Structure « Reach-Through »Série SUR: cette nouvelle structure de photodiode avalanche (APD) silicium à sensibilité élevée dans la gamme de longueurs d'onde des DUV/UV a été développée récemment par LASER COMPONENTS. De Nombreuses applications, en particulier dans les domaines médicaux et biomédicaux exigent des détecteurs extrêmement sensibles dans la gamme à ondes courtes (bleu et au dessous), mais jusqu'ici il n’y avait que peu de détecteurs à avalanche disponibles sur le marché et présentant les caractéristiques appropriées pour satisfaire les exigences de telles applications. La série de SUR offre d'excellentes performances en DUV. En outre, la sensibilité de cette nouvelle structure APD de LASER COMPONENTS reste élevée plus loin dans les basses longueurs d’onde UV que tous les détecteurs actuellement disponibles sur le marché. Son fonctionnement comme composant monté en boîtier est finalement limité uniquement par la transmission de la fenêtre du boîtier, laquelle est optimisée pour des longueurs d'onde commençant à 250 nanomètre et au delà. Une sensibilité si élevée même pour des longueurs d'onde en-dessous de 250 nm, rendue possible en fonctionnement sous vide, a été réalisée avec une structure APD particulièrement conçue avec une couche supérieure externe ultra mince développée suivant une procédure épitaxiale unique. Avantage: bruit et sensibilité inégalés. Un avantage supplémentaire important de cette nouvelle structure APD est son niveau de bruit et sa sensibilité inégalés sur la gamme disponible dans le de 250 nm à 1100 nm. Les tailles de cette APD vont d’un diamètre actif de 0,5 mm jusqu’à 3 mm dans un boîtier spécial optimisé pour la gamme de longueurs d'onde UV.
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