APD et PLD en Volume à Faible Coût

La gamme de diodes lasers pulsées (PLDs) fabriquées par LASER COMPONENTS Canada continue de s’étendre et peut être optimisée pour chaque application. Avec notre technologie testée et reconnue de laser « multi-junction », lesquels contiennent plusieurs émetteurs intégrés par épitaxie, des puissances crêtes de 70 à 210 W à 905 nm peuvent être obtenues par empilement. Ces PLDs sont optimisées pour des applications telles que les ceilomètres ou LIDAR, dans lesquelles des grandes distances (>> 1 km) doivent être mesurées. Pour de plus courtes distances, cette technologie est également disponible avec des puces de 3 mil. Des puissances de 25 W peuvent être obtenues avec des émetteurs de 80 µm x 10 µm. La version plus large en 6 mil (160 µm x 10 µm) produit 50 W avec une durée d’impulsion de 150 ns et un duty cycle de 0.1%. En raison de sa surface d’émission plus faible ce laser peut être aisément couplé sur une fibre optique et combiné avec des micro-optiques. La nouvelle version (235 µm x 10 µm) délivre une puissance crête de 75 W sur une puce unique.

Afin de profiter de tous les avantages techniques qu’offrent ces PLDs, elles sont intégrées dans un boîtier TO hermétiquement scellé. Ces boîtiers sont extrêmement fiables, délivrent d’excellentes performances, durablement, et offrent de plus, un alignement très précis des chips laser.

Récepteurs adaptés - Si APDs à 905 nm

Nous avons également les photodiodes Silicium avalanche (Si APD) adaptées à ces PLDs, que nous pouvons vous proposer à faibles coûts pour échantillonnage. Dans les nouvelles séries SARF500F2, un filtre passe bande est directement intégré au boîtier. Ce nouveau détecteur est décrit dans ces pages.

Datasheet:

 Silicon Avalanche Photodiode SARF-Series 1.9 M

 High Power Pulsed Laser Diodes 905D3J08 1.6 M

 High Power Multi-Junction Pulsed Laser Diodes 905D1S2J0XX 229 K

 High Power Multi-Junction Pulsed Laser Diodes 905D1S3J0XX 282 K

Manufacturer:
Laser Components Canada, Inc.

Contact: