Les photodiodes Si sont les diodes pin à polarisation inverse. Elles détectent la lumière dans une gamme de 250 nanomètres à 1,1 µm. Le rayonnement incident est transformé en photo-courant mesurable.
Les photodiodes pour le proche infrarouge (NIR) sont produites à partir d’un matériau à semi-conducteur d'InGaAs. Elles peuvent détecter le rayonnement d'incident entre 900 et 1700 nanomètres.
Des photodiodes UV sont produites à partir de matériau SiC. Les détecteurs sont disponibles avec des filtres qui sont exclusivement sensibles dans les gammes de d'UV-C, d'UV-B, ou d'UV-A.
Le Germanium est conçu pour l'usage de 800 nm à 1800 nm. Ces photodiodes représentent une alternative peu coûteuse aux photodiodes en InGaAs.
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