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Photodiodes PIN InGaAs

Les photodiodes pour le proche infrarouge (NIR) sont produites à partir d’un matériau à semi-conducteur d'InGaAs. Elles peuvent détecter le rayonnement d'incident dans la gamme de longueurs d'onde comprise entre 900 et 1700 nanomètres. Les designs spécifiques-client sont proposés pour des longueurs d’onde de 500 nanomètres à 1700 nanomètres.

1100-1700 nm. Large gamme de receiver InGaAs PIN avec connectorisation sur fibre ou sur sortie avec connecteur optique.

Nos composants InGaAs sont caractérisés par une forte sensibilité entre 900 nm et 1700 nm.

La série de détecteurs J23 est constituée de photodiodes InGaAs de haute qualité dans une gamme de longueur d’onde de 800-2500 nm.

Ces photodiodes sont utilisées pour des applications à forts débits dans les systèmes de communications analogiques ou numériques, LANs, FDDI, instrumentation et senseurs optiques.

Nous proposons une large gamme de photodiodes InGaAs de grandes surfaces pour les applications de senseurs et en instrumentation.

Fermionics Opto-Technology propose des barrettes de photodiodes, des convertisseurs optiques et récepteurs optiques.

Les photodiodes à avalanche InGaAs de la série IAE détectent dans la gamme spectrale de 1100 nm à 1700 nm. Les APDs de la série IAG présentent des seuils de dommages particulièrement élevés.

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