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Diodes Laser Pulsées

Les diodes lasers pulsées (PLDs) sont disponibles dans les longueurs d'onde de 850 nm, 905 nm et 1550 nm. Tous nos PLDs sont développées et fabriquées dans nos installations de production de composants laser au Canada. Des demandes spécifiques-client peuvent, donc, facilement être adaptées.

Diodes laser pulsées fonctionnant à 905 nm

SMD 905 nm

Emetteurs simples, blocs et diodes laser pulsées et à jonctions multiples allant jusqu’à 650 W.

LASER COMPONENTS Canada produit également des diodes laser pulsées (PLD) de fortes puissances à une longueur d'onde de 905 nm. Grâce à sa structure AlGaAs, la série à 905 permet d'obtenir une fiabilité élevée et une haute stabilité en température ainsi que des caractéristiques de faisceau optimales. Pour un contrôle précis de la longueur d'onde, il est possible d'intégrer un élément Peltier dans le TO pour le refroidissement.

Pour les PLD à 905 nm, nous proposons différentes options de boîtier : elles sont disponibles dans des boîtiers TO-18, 5,6 mm, 9 mm, coax 8 à 32 ou sous forme de puce sur embase céramique. Des matrices et diodes laser pulsées (PLD) avec d'autres longueurs d'onde, spécifiques aux clients, sont également disponibles sur demande.

Les diodes laser sont par exemple utilisées dans la télémétrie, le contrôle de vitesse, les radars laser, les scanners de sécurité et les barrières de sécurité laser ou encore dans les systèmes de tests et de mesure.

Les séries de diodes lasers pulsées à 905 nm sont disponibles en mono-élément ou sous forme de stacks  jusqu’à 650 W. Avec une efficacité de 1 W/A, la version mono élément délivre une puissance crête de 34 W, tandis que la version en stacks permet d’obtenir jusqu’à plus de 130 W pour une durée d’impulsion de 150 ns et un duty cycle de 0.1%.

Les diodes laser pulsées multi-jonctions sont similaires à la technologie des "nano-stacks". Les PLD de LASER COMPONENTS impressionnent avec leur efficacité max. de 3,2 W/A ainsi que les puissances de pointe jusqu’à 115 W pour une longueur d’impulsion de 100 ns à partir d’une seule puce.

Les diodes à 115 W sont basées sur l’intégration par épitaxie de 3 émetteurs de surface active totale de seulement 235 x 10 µm. D’autres versions délivrent une puissance de sortie de 40 W pour une surface active de 85 X 10 µm et 80 W pour 160 x 10 µm. La faible surface d’émission permet un couplage de la puissance laser aisée dans une fibre combinée à de micro-optiques

Un boîtier TO hermétiquement scellé assure haute fiabilité, d’excellente capacité de suralimentation et un alignement très précis à l’intérieur du boîtier TO.

Avec la méthode « Trench » avancée, il est possible de développer des matrices PLD spécifiques aux clients avec des puissances de pointe supérieures à 1 kW.

Les diodes laser pulsée (PLDs) multi-jonction en version stacks délivrent une puissance crête  jusqu’à 650 W à 905 nm. Elles sont développées sur la base de plusieurs émetteurs intégrés par épitaxie et totalisant une surface d’émission de 200 X 10 µm, et délivrant ainsi une puissance optique optimale.

Selon le nombre de puces intégrées, une puissance crête jusqu'à 650 W peut être obtenue. Elles fournissent l'intensité optimale de puissance et sont particulièrement appropriées aux applications médicales et au couplage des fibres optiques.

Caractéristiques des mono émetteurs

  • Longueur de l’impulsion: 150 ns
  • Puissance crête: au moins: 70 W

Caractéristique des versions stackées

  • Longueur de l’impulsion: 150 ns
  • Puissance crête:  jusqu’à 650 W

Les domaines d’application incluent: technologie médicale, ceilomètres, altimètres, LIDAR, mesure de distances.

Les diodes laser pulsées de la série UA représentent des diodes laser de hautes qualités hermétiquement scellées en boîtier métallique TO-56. Produites en larges quantités, elles peuvent être compétitives en prix face aux PLDs en boîtiers plastiques.

De plus elles sont très fiables, possèdent d’excellentes caractéristiques en overdrive, et présentent une stabilité en température optimale et un positionnement extrêmement précis à l’intérieur du boîtier.

En tant que version mono élément, la série 905DxxUA permet d’obtenir des valeurs de pic de puissance de 6W à 19W. Les versions à jonctions multiples (905D1S3JTxxUA) fournissent des puissances de pointe de 40 W, de 80 W et de 115 W en fonction de la taille de la surface émettrice pour 100 ns et un rapport cyclique de 0,1 %.

Nos diodes laser pulsées – PLD -  multi-jonctions haute puissance sont également disponibles sous forme de composants CMS pour un montage direct, facile sur une carte de circuit imprimé. Ces structures InGaAs / GaAs fiables délivrent des puissances allant jusqu'à 120 W. Elles sont disponibles dans des tailles de sources de 225 μm (en option avec 75 µm ou 150 µm). Grâce à leur conception cubique compacte de seulement 2 x 2 x 2 mm, nos PLD CMS peuvent être utilisés comme émetteurs de type top-looking ou side-looking.

Afin d'optimiser la divergence de l'axe rapide, une lentille FAC (Fast Axis Collimation) supplémentaire est installée devant la puce de la diode laser. Selon la lentille, il est ainsi possible d'atteindre des divergences de 33 mrad. La puce et la lentille sont intégrées dans un petit boîtier TO-46 hermétiquement scellé. Cette conception résiste aisément à des accélérations de plus de 1 000 g/ms et satisfait ainsi aux exigences des applications militaires.

Référence / Fiche Technique Longueur d’onde Puissance Boîtier
>> 905D1S1.5X 905 nm
3 W Other
>> 905D1S03X 905 nm
6 W Other
>> 905D1S03UAS 905 nm
6 W 5.6 mm
>> 905D1S03UA 905 nm
6 W 5.6 mm
>> 905D1S09UAS 905 nm
9 W 5.6 mm
>> 905D1S3J03FP-10/22-F-0-01 905 nm
12 W Pigtail or Receptacle
>> 905D1S06X 905 nm
13 W Other
>> 905D1S09X 905 nm
19 W Other
>> 905D1S09UA 905 nm
19 W 5.6 mm
>> 905D1S3J06SQF-14-15 905 nm
25 W Other
>> 905D2S06X 905 nm
25 W Other
>> 905D1S12X 905 nm
26 W Other
>> 905D1S16X 905 nm
34 W Other
>> 905D1S3JT03SMD 905 nm
35 W SMD
>> 905D1S3J09FP-40/22-F-0-01 905 nm
35 W Pigtail or Receptacle
>> 905D1S3JT03SCB 905 nm
40 W S+FAC
>> 905D1S3JT03UAS 905 nm
40 W 5.6 mm
>> 905D1S3JT03X 905 nm
40 W Other
>> 905D1S3JT03UA 905 nm
40 W 5.6 mm
>> 905D3S09X 905 nm
55 W Other
>> 905D2S3J09FP-40/22-F-0-01 905 nm
65 W Pigtail or Receptacle
>> 905D1S3J08X 905 nm
65 W Other
>> 905D1S3JT06SMD 905 nm
70 W SMD
>> 905D3S12X 905 nm
70 W Other
>> 905D1S3JT06UAS 905 nm
80 W 5.6 mm
>> 905D1S3JT06SCB 905 nm
80 W S+FAC
>> 905D1S3JT06UA 905 nm
80 W 5.6 mm
>> 905D1S3JT06X 905 nm
80 W Other
>> 905D4S12X 905 nm
90 W Other
>> 905D1S3JT09SMD 905 nm
105 W SMD
>> 905D1S3JT09X 905 nm
115 W Other
>> 905D1S3JT09UAS 905 nm
115 W 5.6 mm
>> 905D1S3JT09UA 905 nm
115 W 5.6 mm
>> 905D1S3JT09SCB 905 nm
115 W S+FAC
>> 905D2S3J08X 905 nm
130 W Other
>> 905D4S16X 905 nm
130 W Other
>> 905D3S3J08X 905 nm
195 W Other
>> 905D2S3JT09X 905 nm
235 W Other
>> 905D4S3J08X 905 nm
260 W Other
>> 905D5S3J08X 905 nm
325 W Other
>> 905D3S3JT09X 905 nm
335 W Other
>> 905D4S2L3J08X 905 nm
520 W Other
>> 905D5S2L3J08X 905 nm
650 W Other

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