Diodes laser pulsées fonctionnant à 905 nm

LASER COMPONENTS Canada produit des diodes lasers pulsées (PLDs) de fortes puissances à 905 nm. La structure AlGaAs de ces séries à 905 permet d’obtenir une fiabilité élevée et une haute stabilité en température, elle permet de plus, d’obtenir les meilleures caractéristiques de faisceau. Ces PLDs à 905 nm sont disponibles en TO-18, 5.6 mm, 9 mm, ou en coax 8-32 ainsi que sous forme de chip sur embase céramique, ou encore selon spécifications client. D’autres longueurs d’onde sont également disponibles sur demande.

Ces diodes sont utilisées dans les télémètres laser, la mesure de vitesse, les radars laser, les scanners de sécurité, et les barrières de sécurité laser, ou encore dans les systèmes de tests et de mesure.

Les séries de diodes lasers pulsées à 905 nm sont disponibles en mono-élément ou sous forme de stacks. Avec une efficacité de 1 W/A, la version mono élément délivre une puissance crête de 34 W, tandis que la version en stacks permet d’obtenir jusqu’à plus de 130 W pour une durée d’impulsion de 150 ns et un duty cycle de 0.1%.

Les diodes laser pulsées multi-jonctions sont similaires à la technologie des nano-stacks. Les PLDs de LASER COMPONENTS délivrent une puissance pic impressionnante de 70 W sur une mono-chip et pour une longueur de pulse de 150 ns.

Les diodes à 70 W sont basées sur l’intégration par épitaxie de 3 émetteurs de surface active totale de seulement 235 x 10 µm. D’autres versions délivrent une puissance de sortie de 25 W pour une surface active de 85 X 10 µm et 50 W pour 160 x 10 µm. La faible surface d’émission permet un couplage de la puissance laser aisée dans une fibre combinée à de micro-optiques

Un boîtier TO hermétiquement scellé assure haute fiabilité, d’excellente capacité de suralimentation et un alignement très précis à l’intérieur du boîtier TO.

Les diodes laser pulsée (PLDs) multi-jonction en version stacks délivrent une puissance crête de plus de 210 W à 905 nm. Elles sont développées sur la base de plusieurs émetteurs intégrés par épitaxie et totalisant une surface d’émission de 200 X 10 µm, et délivrant ainsi une puissance optique optimale.

Caractéristiques des mono émetteurs

• Longueur de l’impulsion: 100 ns
• Puissance crête: au moins: 75 W

Caractéristique des versions stackées

• Longueur de l’impulsion: 100 ns
• Puissance crête: plus de 140 W ou 210 W

Les domaines d’application incluent: ceilomètres, altimètres, LIDAR, mesure de distances.

Les diodes laser pulsées de la série UA représentent des diodes laser de hautes qualités hermétiquement scellées en boîtier métallique TO-56. Produites en larges quantités, elles peuvent être compétitives en prix face aux PLDs en boîtiers plastiques.

De plus elles sont très fiables, possèdent d’excellentes caractéristiques en overdrive, et présentent une stabilité en température optimale et un positionnement extrêmement précis à l’intérieur du boîtier.

En tant que version mono élément, la série 905DxxUA permet d’obtenir des valeurs de pic de puissance de 6W à 19W. Quant à la version multi-jonctions, elle délivre des puissances crête de 25 W, 50 W, et 75 W à 150 ns pour un duty cycle de 0.1%.