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InGaAs APD 1100 - 1700 nm

Les photodiodes à avalanche InGaAs sont utilisées pour détecter la lumière dans le domaine spectral à partir de 1100 nanomètres à 1700 nanomètres. Elles présentent des propriétés de bruit sensiblement plus faible que des diodes germanium.

InGaAs avalanche diode
InGaAs APD in TO-46 housing

InGaAs APD 1100 - 1700 nm

Les photodiodes à avalanche InGaAs de la série IAE détectent dans la gamme spectrale de 1100 nm à 1700 nm. Les APDs de la série IAG présentent des seuils de dommages particulièrement élevés.

InGaAs APD 1100 - 1700 nm

Les détecteurs InGaAS en version APD sont appréciables dans les applications dans la bande spectrale de 1100 à 1700 nm. Par rapport à leurs homologues Germanium, ils bénéficient d’un rapport signal à bruit bien supérieur, une plus grande bande passante relativement aux surfaces actives, et une meilleure sensibilité jusqu’à 1700 nm.

Séries IAE
Les surfaces actives de nos séries IAE sont disponibles en 80 µm et 200 µm. Tandis que nos boîtiers incluent, les TO-46 ou les substrats céramiques, dans cette dernière version nos APD sont aisément intégrables dans l’assemblage client spécifique. Avec des capacités de 1pF typique, les IAE080x atteignent des bandes passantes d’au moins 1GHz. Le gain interne de 10 permet de détecter de faibles signaux dans l’IR dans des conditions de sécurité oculaires.

Séries IAG
Les séries IAG présentent un fort seuil de dommage de >200 kW/cm². La réponse de ce détecteur est centrée sur 1550 nm et la surface active est disponible dans des diamètres de 80 µm, 200 µm et 350µm.

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