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XXL-Detektorfläche bei InGaAs Avalanche Photodioden

Photonics News 55

InGaAs Avalanche Photodioden mit Detektorflächen von 80 µm bis 350 µm


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Bei militärischen Anwendungen sind zu detektierende Signale häufig sehr schwach. Wurden jüngst augensichere Impulslaserdioden bei 1550 nm für Rangefinding-Applikationen vorgestellt, kommt nun der passende Detektor.

 

Maximale Empfindlichkeit bei 1550 nm
Im Spektralbereich von 1000 nm bis 1650 nm detektieren die neuen InGaAs Photodioden. Der Peak liegt bei 1550 nm!

 

Die sog. IAG-Serie bietet noch viel mehr: Neben den bewährten Detektorflächen von 80 µm und 200 µm wird auch eine XXL-Version gefertigt. Die satten 350 µm Durchmesser  überschatten fast die weiteren Features der IAG-Serie:

  • Hohe Bandbreite bis 2,5 GHz
  • Kleinste Dunkelströme
  • NEP von typ. 0,01 pW/sqrHz
  • Zerstörschwelle > 200 kW/cm²

Robust und extrem dynamisch werden die APDs in einem TO-46 Gehäuse geliefert. Immer möglich: kundenspezifische Optionen!


Datenblatt:

Hersteller:
LASER COMPONENTS Detector Group

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Firma:    Laser Components Germany GmbH
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Ansprechpartner:    Winfried Reeb
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InGaAs Photodiode_APD mit XXL Detektorfläche

InGaAs Avalanche Dioden jetzt mit noch größeren Detektorflächen für eine maximale Empfindlichkeit bei 1550 nm.

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