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Photodiodes à Avalanche

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles. Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.

Barrettes APD

APD Array

Des barrettes APD linéaires permettant de nouvelles applications dans les radars à laser LIDAR et les systèmes de régulation automatique de la vitesse - ACC.

Typiquement utilisées dans des sondes de distances par mesure temps-de-vol, par exemple dans les applications d’aide à la sécurité des véhicules, les barrettes linéaires APD sont maintenant disponibles chez Laser Components.

Faible bruit, et rapidité combinés dans une photodiodes avalanche silicium montée dans un assemblage monolithique, les barrettes ont été optimisées pour la gamme de longueurs d'onde 800-900 nm. D'autres caractéristiques incluent un coefficient de basse température et un espace de seulement 40 µm entre les éléments. Ces barrettes peuvent être configurées pour s’adapter aux conditions du client en terme de nombre et de dimension d'éléments. Barrettes de 8, 12 ou 16 éléments en boîtier DIL également disponibles en standard (fiches techniques disponibles). Des matrices 2D sont actuellement en cours de développement.

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