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Avalanche Photodioden

Lawinenfotodioden werden, ähnlich wie Photomultiplier, zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten eingesetzt. Für die Wellenlängen von 250 – 1100 nm werden Si APDs eingesetzt, für die Wellenlängen von 1100 – 1700 nm wird InGaAs als Halbleiter verwendet.

Silizium Avalanche Photodioden werden für den Wellenlängenbereich zwischen 250 nm und 1100 nm eingesetzt. Durch den Lawineneffekt eignen sie sich zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten.

Unsere InGaAs Avalanche Photodioden (APD) sind für einen Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm ausgelegt. Die Produkte der IAG-Serie überzeugen durch ein besonders gutes Signal/Rausch-Verhältnis und unterstützen eine Verstärkung bis über 30.

APD-Arrays von Laser Components für neuartige LIDAR und ACC Anwendungen mit optimierter Empfindlichkeit.

Bei APD Receivern handelt es sich um Avalanche Dioden mit integriertem Vorverstärker. Diese sind in einem kompakten, hermetisch abgeschlossenen Gehäuse untergebracht.

Lichtdetektion schnell und zuverlässig. Bei APD-Modulen ist die Ansteuerung der Avalanche Dioden bereits integriert.

Die kostengünstigen Blockmodule können Spannungen bis zu 1000 V erzeugen. Die digital Bias Controller werden vor allem für APDs und PMT eingesetzt.

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21.06.2023

Kostengünstige InGaAs-APDs

Mit der IAL-Serie erweitert LA...