Empfindlichkeitsbereich 200 nm - 1100 nm. Viele Sonderoptionen und kundenspezifische Varianten möglich.
Die Si-Avalanche Photodioden eignen sich je nach verwendeter Halbleiterstruktur für den Spektralbereich von 260 nm bis 1100 nm. Durchmesser: von 230 µm bis 16 mm.
Auf Grund der kleinen Flächen der einzelnen Segmente eignen sich Differentialdioden und Quadrantendioden für die hochauflösende und schnelle Positionsmessung
Silizium-Photodioden und Arrays mit Szintillatoren für X-Ray Anwendungen in der Sicherheits- und Medizintechnik.
Eindimensionale Detektor-Arrays aus Silizium mit 12 Einzelelementen. Kundenspezifische Varianten sind auf Anfrage erhältlich.