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InGaAs PIN Fotodioden

Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und –in Abstufungen- bis zu 2600 nm für das extended InGaAs. Varianten für die Datenübertragung sind nicht panchromatisch.

IR- Fotodioden mit hervorzuhebender Quanteneffizienz. LASER COMPONENTS entwickelt und fertigt Fotodioden im Spektralbereich bis 2600 nm.

1100 nm – 1700 nm. Umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receivern mit Faseranschluss oder im optischen Stecker.

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19.09.2023

InGaAs-Photodioden für das LiDAR der Zukunft

InGaAs-Photodioden der IG22-Se...