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Impulslaserdioden mit 650 W Spitzenleistung im TO-18 Gehäuse

Photonics News 69

Neuer Weltrekord: Bis zu 650 Watt bei 905 nm


D69-041

LASER COMPONENTS Canada hat einen neuen Weltrekord bei 905 nm Impulslaserdioden aufgestellt: Spitzenleistungen bis zu 650 W kommen aus einem kleinen TO-18 Gehäuse – sie basieren auf der „multi junction“ Lasertechnologie und werden als Standard angeboten.

Die spezielle Lasertechnologie beinhaltet mehrere epitaktisch integrierte Emitter mit einer gesamten Austrittsöffnung von 200 µm x 10 µm. Bei einer Pulslänge von 150 ns erreicht man Spitzenleistungen von mindestens 70 W aus einem einzelnen Chip. Das Metallgehäuse lässt eine höhere thermische Belastung zu, sodass die Diode übersteuert werden kann und somit bis zu 650 W aus einer Stack-Array Anordnung erreicht werden. Durch die Kombination aus kleiner Emitterfläche und extrem hoher Spitzenleistung eignet sich die neue 3J08-Serie optimal für die Faserankopplung.

Verwendet werden diese Impulslaser u.a. bei der Low-Level-Lasertherapie. Dabei handelt es sich um eine alternative (veterinär-)medizinische Behandlung, die mit monochromatischem und kohärentem Licht durchgeführt wird. Ziel der Behandlung ist es, Schmerzen zu reduzieren, die Wundheilung zu beschleunigen und Entzündungen zu bekämpfen.

Weitere Einsatzgebiete sind die Entfernungsmessung, Geschwindigkeitskontrolle, Laser-Radar, Sicherheitsscanner, Laserlichtvorhänge sowie Test- und Messsysteme.


Weitere Produktinformationen:
Impulslaserdioden bei 905 nm

Hersteller:
LASER COMPONENTS Canada

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Ansprechpartner:    Winfried Reeb
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Gepulste High-Power Laserdioden bei 905 nm mit AlGaAs-Struktur.

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