Kostengünstige Avalanche Photodioden im SMD-Gehäuse
Silizium APDs für den Wellenlängenbereich zwischen 400 nm und 1100 nm mit kleinsten Abmessungen
D75-035
Passend zu unseren high end/low cost Impulslaserdioden bei 905 nm bieten wir nun auch Si-Avalanche Photodioden in einem kompakten SMD-Gehäuse an. Die Abmessungen betragen lediglich 3,1 x 1,8 x 1 mm³.
Aus einer Hand erhalten Sie von uns Sender und Empfänger mit überragendem Preis-/Leistungsverhältnis. Diese sind für Anwendungen wie Entfernungsmessung oder Geschwindigkeitskontrolle geschaffen, aber auch für Laser-Radar, Sicherheitsscanner, oder den Einsatz in Test- und Messsystemen in Industrie und Medizin.
Die SAH-Serie hat eine Epitaxie-Struktur und wird auf 6“-Wafern produziert. Die hohe Empfindlichkeit zwischen 400 – 1000 nm und kurze Anstiegszeiten von 250 – 300 ps kennzeichnen die neue APD. Geliefert werden Ausführungen mit einem Durchmesser von 230 µm und 500 µm. Ein weiterer Vorteil ist die geringe Betriebsspannung, die vor allem bei tragbaren Systemen zur Energieersparnis beiträgt, so z.B. bei Laserentfernungsmessern.
Datenblatt:
Weitere Produktinformationen:
Silizium-APDs
Hersteller:
LASER COMPONENTS Detector Group
Kontakt:
Ansprechpartner: | Winfried Reeb |
Firma: | Laser Components Germany GmbH |
Adresse: | Werner-von-Siemens-Str. 15 |
PLZ / Ort: | 82140 Olching |
Telefon: | +49 (0) 8142 2864-42 |
Fax: | +49 (0) 8142 2864-11 |
E-Mail: | winfried.reeb@lasercomponents.com |
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