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UV Fotodioden

Die UV Photodioden werden aus dem Material SiC gefertigt. Die Detektion der Strahlung erfolgt im Wellenlängenbereich von 200 nm bis 400 nm. Es sind Detektoren mit Filter verfügbar, die ausschließlich im UV-C, UV-B oder UV-A-Bereich empfindlich sind.

SIC-Photodiode
SiC_Hybrid

SiC-Detektoren (205 - 355 nm)

SiC-UV-Photodioden weisen im Vergleich mit Bauelementen auf Basis von Si, TiO2, GaN oder Diamant unschlagbare Vorteile auf

UV Fotodioden

SiC-Dioden sind bspw. Solar Blind UV-Photodioden, die bevorzugt zur Lampen-Überwachung eingesetzt werden. Sie zeichnen sich durch folgende Eigenschaften aus:

  • Spektrale Empfindlichkeit liegt im Bereich von 205 bis 355 nm
  • Hervorragende Langzeitstabilität – auch bei hohen UV-C Strahlungsdosen von bis zu 1000 W/m2
  • Extreme Temperaturstabilität Der Temperaturkoeffizient liegt bei Tk < - 0,06 %/K Dauereinsatztemperatur bis + 150 °C
  • Anpassung der spektralen Empfindlichkeit durch Filtertechnologien für UV-A, UV-B and UV-BC
  • Integrierte Signalaufbereitung, ebenfalls Solar Blind
  • Äußerst niedriges Dunkelstrom-Niveau im fA-Bereich
  • Hermetisches TO-Gehäuse

Applikationen bei hohen Temperaturen

Die Standardausführung unserer SiC-Dioden ist für Betriebstemperaturen bis + 70 °C ausgelegt. Für besondere Applikationen wie bspw. der Flammendetektion werden höhere Temperaturen gefordert. Hierfür bieten wir die SiC-Detektoren der HT-Serie (High Temperature) an, die bis + 150 °C eingesetzt werden können.

SiC-Detektoren mit Filter

Für spezielle Anwendungen werden SiC-Photodioden mit integrierten, strahlungsfesten Filtern für UV-C, UV-BC, UV-B und UV-A angeboten.

SiC UV-Photodioden mit eingebautem Vorverstärker

Die SiC UV-Photodioden mit eingebautem Vorverstärker erhalten Sie mit Flachkappe oder mit Linsenkappe.

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Ihr Ansprechpartner

Uwe Asmus

+49 (0) 8142 2864-43

u.asmus@lasercomponents.com