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Photodiodes à Avalanche

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles. Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.

Des barrettes APD linéaires permettant de nouvelles applications dans les radars à laser LIDAR et les systèmes de régulation automatique de la vitesse - ACC.

Les APDs en silicium sont utilisées entre 250 nm et 1100 nm. L'effet d'avalanche de ces photodiodes les rend bien adaptées pour la détection des intensités de lumière extrêmement faibles.

Les APDs InGaAs sont utilisées pour détecter la lumière de 1100 nm à 1700 nm. Elles présentent des propriétés de bruit sensiblement plus faible que des diodes germanium.

Les récepteurs APD possèdent un préamplificateur intégré et sont montées dans un boîtier compact hermétiquement scellé.

Détection de lumière fiable et rapide

Ces modules peu coûteux peuvent produire des tensions jusqu'à 1000 V. Ces contrôleurs polarisés numériques sont employés, en particulier, dans l'utilisation d'APD et de PMT.

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