| InAs 1 - 4 µm |  |
| Im Gegensatz zu den in diesem Wellenlängenbereich oft verwendeten photoleitenden Detektormaterialien PbS, PbSe und HgCdTe ist InAs photovoltaisch und benötigt keine Betriebsspannung. | |
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| InSb 1 - 5,5 µm |  |
| InSb-Detektoren sind photovoltaische Elemente und erzeugen einen Stromfluß aufgrund der einfallenden IR-Strahlung. InSb Detektoren werden kryogen gekühlt | |
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| HgCdTe (photovoltaisch) 1 - 5,5 µm |  |
| Der Einsatzbereich deckt sich mit dem InSb, allerdings ohne LN2 Kühlung. Das typische 1/f-Rauschen tritt bei PV MCT-Detektoren nicht auf - ideal für Gleichstrom- und Niederfrequenz-Anwendungen | |
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| HgCdTe (photoleitend) 2 - 26 µm |  |
| HgCdTe ist eine ternäre Halbleiterverbindung. Die Zusammensetzung bestimmt die cut-off Wellenlänge. Einsatz ist als klassischer Spektrometer Detektor oder für gescannte Wärmebildanwendungen. | |
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| PbS 1 - 3,3 µm |  |
| Polykristalines PbS ist ein traditioneller, aber hochwertiger IR-Detektor. PbS wirkt als Fotowiderstand. | |
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| PbSe 1 - 5 µm |  |
| Polykristallines PbSe ist ein Standardhalbleiterdetektor. Im Rahmen der Produktpflege wurden im Jahr 2000 die Eigenschaften grundlegend verbessert. | |
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| Eindimensionale IR Arrays |  |
| Mit diesem neuen Detektor bietet Cal-Sensors dem Anwender in der NIR-Spektroskopie ein leistungsstarkes Array zu attraktiven Konditionen | |
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