Avalanche Photodioden
Die Si-Avalanche Photodioden eignen sich für den Spektralbereich von 260 nm bis 1100 nm.
APDs mit exzellenter Quanteneffizient - geschaffen für Photonenzähler.
Diese APDs haben eine Hohe Empfindlichkeit in DUV/UV wellenlängen-Bereich.
APD Arrays für neuartige LIDAR und ACC Anwendungen - optimierte Empfindlichkeit zwischen 800-900 nm.
1100 - 1700 nm
Höchste Effizienz dank exzellentem Signal-/Rausch-Verhältnis.
Avalanche Diode mit integriertem Verstärker in einem kompakten, hermetisch abgeschlossenem Gehäuse.
Lichtdetektion schnell und zuverlässig. Bei APD-Modulen ist die Ansteuerung der Avalanche Dioden bereits integriert.
Mit den kostengünstigen Blockmodulen von LASER COMPONENTS ist es sehr einfach, Spannungen bis zu einigen 1000 V bereitzustellen
Informationen
zu Lawinenfotodioden
Halbleiter-Materialien
Lawinenfotodioden werden, ähnlich wie Photomultiplier, zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten eingesetzt.
Für die Wellenlängen von 250 – 1100 nm werden Si APDs eingesetzt, für die Wellenlängen von 1100 – 1700 nm wird InGaAs als Halbleiter verwendet.
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