Diodes Laser Pulsées

Les diodes lasers pulsées (PLDs) sont disponibles dans les longueurs d'onde de 850 nm, 905 nm et 1550 nm. Tous nos PLDs sont développées et fabriquées dans nos installations de production de composants laser au Canada. Des demandes spécifiques-client peuvent, donc, facilement être adaptées.

High temperature stability, many types of housing

Also available as high end/low cost version

Diodes laser pulsées fonctionnant à 905 nm

Emetteurs simples, blocs et diodes laser pulsées et à jonctions multiples allant jusqu’à 650 W.

Diodes Laser Pulsées

Description

LASER COMPONENTS Canada produit des diodes lasers pulsées (PLDs) de fortes puissances à 905 nm. La structure AlGaAs de ces séries à 905 permet d’obtenir une fiabilité élevée et une haute stabilité en température, elle permet de plus, d’obtenir les meilleures caractéristiques de faisceau. Ces PLDs à 905 nm sont disponibles en TO-18, 5.6 mm, 9 mm, ou en coax 8-32 ainsi que sous forme de chip sur embase céramique, ou encore selon spécifications client. D’autres longueurs d’onde sont également disponibles sur demande.

Ces diodes sont utilisées dans les télémètres laser, la mesure de vitesse, les radars laser, les scanners de sécurité, et les barrières de sécurité laser, ou encore dans les systèmes de tests et de mesure.

Séries 905D :

Les séries de diodes lasers pulsées à 905 nm sont disponibles en mono-élément ou sous forme de stacks jusqu’à 650 W. Avec une efficacité de 1 W/A, la version mono élément délivre une puissance crête de 34 W, tandis que la version en stacks permet d’obtenir jusqu’à plus de 130 W pour une durée d’impulsion de 150 ns et un duty cycle de 0.1%.

Diodes Laser Pulsées Multi-jonctions :

Les diodes laser pulsées multi-jonctions sont similaires à la technologie des nano-stacks. Les PLDs de LASER COMPONENTS délivrent une puissance pic impressionnante de 70 W sur une mono-chip et pour une longueur de pulse de 150 ns.

Les diodes à 70 W sont basées sur l’intégration par épitaxie de 3 émetteurs de surface active totale de seulement 235 x 10 µm. D’autres versions délivrent une puissance de sortie de 25 W pour une surface active de 85 X 10 µm et 50 W pour 160 x 10 µm. La faible surface d’émission permet un couplage de la puissance laser aisée dans une fibre combinée à de micro-optiques

Un boîtier TO hermétiquement scellé assure haute fiabilité, d’excellente capacité de suralimentation et un alignement très précis à l’intérieur du boîtier TO.

Diodes Laser Pulsée (PLDs) Multi-jonction en Stacks :

Les diodes laser pulsée (PLDs) multi-jonction en version stacks délivrent une puissance crête jusqu’à 650 W à 905 nm. Elles sont développées sur la base de plusieurs émetteurs intégrés par épitaxie et totalisant une surface d’émission de 200 X 10 µm, et délivrant ainsi une puissance optique optimale.

Selon le nombre de puces intégrées, une puissance crête jusqu'à 650 W peut être obtenue. Elles fournissent l'intensité optimale de puissance et sont particulièrement appropriées aux applications médicales et au couplage des fibres optiques.

Caractéristiques des mono émetteurs

Longueur de l’impulsion: 150 ns
Puissance crête: au moins: 70 W

Caractéristique des versions stackées

Longueur de l’impulsion: 150 ns
Puissance crête: jusqu’à 650 W

Les domaines d’application incluent: technologie médicale, ceilomètres, altimètres, LIDAR, mesure de distances.

Séries UA – Une Alternative Faible Coût aux PLDs en Boîtiers Plastiques :

Les diodes laser pulsées de la série UA représentent des diodes laser de hautes qualités hermétiquement scellées en boîtier métallique TO-56. Produites en larges quantités, elles peuvent être compétitives en prix face aux PLDs en boîtiers plastiques.

De plus elles sont très fiables, possèdent d’excellentes caractéristiques en overdrive, et présentent une stabilité en température optimale et un positionnement extrêmement précis à l’intérieur du boîtier.

En tant que version mono élément, la série 905DxxUA permet d’obtenir des valeurs de pic de puissance de 6W à 19W. Quant à la version multi-jonctions, elle délivre des puissances crête de 25 W, 50 W, et 75 W à 150 ns pour un duty cycle de 0.1%.

Référence / Fiche Technique	Longueur d’onde	Puissance	Boîtier
>> 905D1S1.5X	905 nm	3 W	Other
>> 905D1S03X	905 nm	6 W	Other
>> 905D1S03UA	905 nm	6 W	5.6 mm
>> 905D1S3J03FP-10/22-F-0-01	905 nm	12 W	Pigtail or Receptacle
>> 905D1S06X	905 nm	13 W	Other
>> 905D1S09X	905 nm	19 W	Other
>> 905D1S09UA	905 nm	19 W	5.6 mm
>> 905D1S3J06SQF-14-15	905 nm	25 W	Other
>> 905D1S3J03X	905 nm	25 W	Other
>> 905D1S3J03UA	905 nm	25 W	5.6 mm
>> 905D2S06X	905 nm	25 W	Other
>> 905D1S12X	905 nm	26 W	Other
>> 905D1S16X	905 nm	34 W	Other
>> 905D1S3J09FP-40/22-F-0-01	905 nm	35 W	Pigtail or Receptacle
>> 905D1S3J06X	905 nm	50 W	Other
>> 905D3S09X	905 nm	55 W	Other
>> 905D2S3J09FP-40/22-F-0-01	905 nm	65 W	Pigtail or Receptacle
>> 905D1S3J08X	905 nm	65 W	Other
>> 905D3S12X	905 nm	70 W	Other
>> 905D1S3J09X	905 nm	70 W	Other
>> 905D1S3J09UA	905 nm	75 W	5.6 mm
>> 905D4S12X	905 nm	90 W	Other
>> 905D2S3J08X	905 nm	130 W	Other
>> 905D4S16X	905 nm	130 W	Other
>> 905D2S3J09X	905 nm	135 W	Other
>> 905D3S3J08X	905 nm	195 W	Other
>> 905D3S3J09X	905 nm	200 W	Other
>> 905D4S3J08X	905 nm	260 W	Other
>> 905D5S3J08X	905 nm	325 W	Other
>> 905D4S2L3J08X	905 nm	520 W	Other
>> 905D5S2L3J08X	905 nm	650 W	Other