Impulslaserdioden bei 905 nm

LASER COMPONENTS Canada stellt gepulste Hochleistungslaserdioden (PLDs) bei 905 nm her. Die AlGaAs-Struktur der 905er-Serie sorgt für hohe Zuverlässigkeit und Temperaturstabilität; außerdem werden damit die besten Strahleigenschaften erzielt. Wenn die Wellenlänge genau gesteuert werden muss, kann ein thermoelektrischer Kühler (TEC) in ein TO-8-Gehäuse integriert werden. 

Unsere 905-nm-PLDs sind in einem TO-18-, 5,6 mm-, 9 mm- oder 8-32-Koax-Gehäuse sowie als Chip auf einem Keramiksubmount erhältlich. Kundenspezifische Arrays und PLDs mit anderen Wellenlängen sind auf Anfrage ebenfalls erhältlich. 

Diese Laserdioden werden in der Entfernungsmessung, der Geschwindigkeitsüberwachung, in Laserradaren, Sicherheitsscannern, Laserlichtvorhängen oder in Prüf- und Messsystemen eingesetzt. 

Die gepulsten Laserdioden der Serie 905D sind als Einzelelemente oder Stacks mit einer Spitzenleistung von bis zu 650 W erhältlich. Bei einem Wirkungsgrad von 1 W/A erreichen die Einzelelemente eine Spitzenleistung von 34 W, während die Stack-Designs eine Leistung von bis zu 650 W bei einer Pulslänge von 150 ns und einem Tastverhältnis von 0,1% erreichen.

Gepulste Multi-Junction-Laserdioden ähneln der „Nanostack“-Technologie. Die PLDs von LASER COMPONENTS bieten aus einem einzigen Chip eine beeindruckende Effizienz von bis zu 3,2 W/A mit Spitzenleistungen von bis zu 115 W bei einer Pulslänge von 100 ns. 

Die 115-W-Diode basiert auf drei epitaktisch integrierten Emittern mit einer aktiven Fläche von insgesamt nur 235 x 10 µm. Andere Versionen liefern eine Ausgangsleistung von 40 W aus einer aktiven Fläche von 85 x 10 µm und 80 W aus 160 x 10 µm. Die kleine Fläche erlaubt es, die Laserleistung einfach in eine Faser einzukoppeln und mit Mikrooptiken zu kombinieren. 

Ein hermetisch dichtes TO-Gehäuse sorgt für hohe Zuverlässigkeit, eine hervorragende Übersteuerungsfähigkeit und eine sehr präzise Chipausrichtung innerhalb des TO-Gehäuses. 

Mit dem fortschrittlichen „Trench“-Prozess können wir kundenspezifische PLD-Arrays mit Spitzenleistungen von mehr als 1 kW herstellen. 

Gestapelte gepulste Mehrfachlaserdioden liefern eine Spitzenleistung von bis zu 650 W bei 905 nm. Sie basieren auf mehreren epitaktisch integrierten Emittern mit einer Gesamt-Emissionsfläche von 200 µm x 10 µm und liefern so eine optimale Leistungsintensität. Je nach Anzahl der integrierten Chips kann eine Spitzenleistung von bis zu 650 W erreicht werden. Sie liefern eine optimale Leistungsintensität und eignen sich insbesondere für medizinische Anwendungen und die Ankopplung von Glasfasern. 

Merkmale der gestapelten Versionen:

• Pulslänge: 100 ns
• Spitzenleistung: bis zu 650 W

Anwendungsbereiche: Medizintechnik, Ceilometer, Höhenmesser, LIDAR, Abstandsmessungen

Die gepulsten Laserdioden der Serie UA sind hochwertige Dioden, die hermetisch in einem TO-56-Metallgehäuse versiegelt sind. Sie werden in großen Mengen hergestellt und können preislich mit PLDs im Kunststoffgehäuse konkurrieren. Darüber hinaus sind sie äußerst zuverlässig, verfügen über ausgezeichnete Übersteuerungseigenschaften und zeichnen sich durch optimale thermische Stabilität und eine sehr präzise Chipausrichtung im Gehäuse aus. 

Als Einzelelement-Design erreicht die 905DxxUA-Serie eine Spitzenleistung von 6 W bis 19 W. Die Mehrfachsperrschicht-Versionen (905D1S3JTxxUA) liefern eine Spitzenleistung von 40 W, 80 W und 115 W in Abhängigkeit von der Größe der emittierenden Fläche bei 100 ns und einem Tastverhältnis von 0,1 %.

Unsere High-Power-Multi-Junction-PLDs sind auch als SMD-Bauteile für die einfache Direktmontage auf einer Leiterplatte erhältlich. Diese zuverlässigen InGaAs/GaAs-Strukturen liefern Leistungen bis zu 120 W. Sie sind in Source-Größen von 225 μm (optional 75 µm oder 150 µm) erhältlich. Aufgrund ihres kompakten kubischen Designs von nur 2 x 2 x 2 mm können unsere SMD-PLDs als Top-Looking- oder Side-Looking-Emitter verwendet werden.

Um die Divergenz der schnellen Achse zu optimieren, wird eine zusätzliche Achsenkollimationslinse (FAC) vor dem Laserdiodenchip angebracht. Je nach Linse können Divergenzen von 33 mrad erreicht werden. Sowohl der Chip als auch die Linse sind in einem kleinen, hermetisch abgedichteten TO-46-Gehäuse integriert. Wie für den Einsatz in der Militärtechnik gefordert, hält diese Konstruktion Beschleunigungsraten von über 1000 g/ms problemlos stand. 

Diese Technologie ist optional auch mit gepulsten 1550 nm Laserdioden erhältlich. Wenn die Wellenlänge exakt gesteuert werden muss, kann ein thermoelektrischer Kühler (TEC) in ein TO-8-Gehäuse integriert werden.