Photodiodes à Avalanche
Les détecteurs Si-APD sont destinées à la bande spectrale 260 nm à 1100 nm.
APD avec une excellente efficacité quantique pour le comptage de photons.
CES APDS ONT UNE GRANDE SENSIBILITÉ DANS LA GAMME DE LONGUEURS D'ONDE DUV/UV.
Des barrettes APD linéaires permettant de nouvelles applications dans les radars à laser LIDAR et les systèmes de régulation automatique de la vitesse - ACC.
1100 - 1700 nm
Efficacité maximale grâce à un excellent rapport signal/bruit.
APDs avec préamplificateur ajusté intégré en boîtiers hermétiques compacts.
Détection rapide et fiable de lumière. Dans des modules APD l’électronique de commande des photodiodes à avalanche est déjà incluse.
Avec les modules faibles coûts compacts de LASER COMPONENTS il est aisé de fournir des tensions jusqu’à plusieurs 1000 V
Informations
sur les photodiodes à avalanche
Matériel semi-conducteur
Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles.
Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.
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