Détecteurs
Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles. Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.
Les détecteurs sensibles de position déterminent la position d'une tache lumineuse. Cette méthode est d’une rapidité incomparable. Des préamplificateurs sont disponibles pour une mise en œuvre facile de ces PSDs.
Les photodiodes PIN convertissent la lumière en courant – sans tension de polarisation devant être appliquée. Le silicium est utilisé généralement comme matériel de détecteur peu coûteux dans la gamme du Vis. Pour des exigences plus élevées, l’InGaAs est employé ; il couvre le domaine spectral le plus large du Vis au NIR. Nous offrons le carbure de silicium comme détecteur « aveugle au rayonnement solaire » spécifiquement pour la gamme UV.
Les photorésistances mesurent la lumière visible avec des caractéristiques de performance similaires à celles de l'œil humain. Leur résistance diminue avec l'augmentation de l'intensité lumineuse.
Les détecteurs IR font partie de notre gamme de produits standard chez LASER COMPONENTS depuis près de trois décennies. Une distinction est faite entre les capteurs pour la gamme infrarouge proche (NIR) de 1,0 µm à 2,5 µm et ceux pour la gamme infrarouge moyen (MIR) au-dessus de 2,5 µm. Les détecteurs IR de tous les modes de fonctionnement font partie de notre portefeuille de produits et ne laissent rien à désirer.
Les modules de comptage de photons uniques, également connus sous le nom de SPCM, comptent les photons individuels à l'aide d'un APD à haute efficacité quantique.
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