Die Baureihe IA35 schließt spektral an die extended InGaAs Photodioden der Baureihe IG26 an. IA35–Detektoren sind photovoltaisch, die aktive Fläche hat einen Durchmesser von 500 µm.
Die IA35S500S4i ist ein hochwertiges und dabei trotzdem vergleichsweise preiswertes Bauteil. Sie bietet gegenüber vergleichbaren InAs-Produkten traditioneller IR-Detektorhersteller den doppelten Shuntwiderstand bei gleichzeitig vervierfachter Fläche.
Hauptanwendungen:
- Berührungslose Temperaturmessung
- Laser Monitoring
- Spektrophotometer
Zu den Schlüsseleigenschaften zählen:
- Peakempfindlichkeit: >= 1,05 A/W
- Typischer Spektralbereich mit 80% der Spitzenempfindlichkeit: ca. 900 nm bis ca. 3500 nm
- Shunt-Widerstand: typ. 700 Ohm
Unser IR Detektor-Sortiment
Panchromatische, photoleitende und thermische Detektoren
InGaAs PIN Photodioden
Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und –in Abstufungen- bis zu 2600 nm für das extended InGaAs.
PbS und PbSe Detektoren
PbS ist ein Standard SWIR-Halbleiterdetektor (Short-Wave Infrared: 1 – 3,3 µm) während PbSe im MWIR (Mid-Wave Infrared; ungekühlt: 1 – 4,7 µm, gekühlt: bis 5,2 µm) verwendet wird. Unsere PbS- und PbSe-Detektoren sind photoleitend – der Detektorwiderstand verringert sich bei Lichteinfall. Die Kristallstruktur ist polykristallin und die Herstellung erfolgt mittels chemischer Abscheidung.
Pyroelektrische IR Detektoren
Pyroelektrische IR Detektoren sind thermische Detektoren . Abhängig von der absorbierten Lichtmenge ändert sich die Temperatur des Oberflächenmaterials. Diese Änderungen werden in elektrische Signale umgewandelt. Thermische Detektoren sind polychromatisch und haben eine sehr große spektrale Bandbreite. Trotzdem werden sie hauptsächlich im MWIR und LWIR eingesetzt – zunehmend auch bei THz-Strahlung.
Der pyroelektrische Effekt beruht darauf, dass die Atome in einem Kristall oder einer Keramik mit hoher Kristallinität bei Temperaturänderungen geringfügig ihre Position ändern. Die dadurch entstehenden elektrischen Schwankungen werden durch Elektroden auf der Kristalloberfläche erfasst.
Dieser Effekt tritt bei vielen Materialien auf. Die gebräuchlichsten davon sind deuteriertes L-Alanin dotiertes Triglycinsulfat (DLaTGS) und Lithiumtantalat (LTO).
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