InGaAs Detektoren
Bei der Entwicklung der Baureihen IG17, IG22 und IG26 wurde besonderer Wert auf die Quanteneffizienz gelegt.
Hauptanwendungen der IR-Fotodioden:
- Spektroskopie, insbesondere auch NIR-FTIR
- Laser Monitoring
- Berührungslose Temperaturmessung
- Tunable Diode Laser Spectroscopy (TDLS)
- Spektrophotometrie, z.B. zur Feuchtemessung
- Sortierapplikationen
- Flammenregelung
Zu den Schlüsseleigenschaften zählen:
- Peak-Empfindlichkeiten von 1,05 A/W bis zu 1,45 A/W
- Hoher Dynamikbereich
- Hohe Linearität
- Geringer Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit bis zu 0,01 %/K
- Panchromatisch, d.h. empfindlich im VIS und NIR Bereich
InGaAs und extended InGaAs Photodioden von Laser Components
LASER COMPONENTS fertigt in Arizona eigene Fotodioden. Diese sind seit 2013 auf dem Markt und zeichnen sich durch ein sehr gutes Preis-/Leistungs-Verhältnis aus.
Folgende InGaAs Detektoren sind verfügbar:
- IG17 Serie (500 bis 1700 nm)
- IG22 Serie (500 bis 2200 nm)
- IG26 Serie (500 bis 2600 nm)
Die Produktpalette ist in vielen Details aufwändig designt worden: Auf den ersten Blick auffallend sind die breite spektrale Response und die hohe Empfindlichkeit der Detektoren. Weitere Vorteile sind ein geringer Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit und eine reduzierte off-area Empfindlichkeit.
Generell werden aktive Durchmesser von 0,25 mm bis zu 3 mm gefertigt. Angeboten werden diese in hermetischen TO-Gehäusen mit und ohne integriertem Peltierkühler, sowie als SMD-Baustein, auf einem Keramikträger oder aber auch als reiner Chip.
Bei den aktiven Flächen haben wir neben den sonst üblichen Standardgrößen von 1 mm und 2 mm eine Zwischengröße im Angebot: Sie hat einen Durchmesser von 1,3 mm. Damit ist ein Bauteil im TO-46 Gehäuse (5,3 mm Sockeldurchmesser) möglich, das bei gleichen Gehäuse-Abmessungen 70% mehr Signal liefert – das im Vergleich zu einer Fotodiode mit einer aktiven Fläche von 1 mm.
Kundenspezifische Varianten sind möglich - so z.B. die hermetische Integration von Interferenzfiltern.
Unser IR Detektor-Sortiment
Panchromatische, photoleitende und thermische Detektoren
InGaAs PIN Photodioden
Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und –in Abstufungen- bis zu 2600 nm für das extended InGaAs. Varianten für die Datenübertragung sind nicht panchromatisch.
PbS and PbSe Detektoren
PbS ist ein Standard SWIR-Halbleiterdetektor (1 – 3,3 µm) während PbSe im MWIR (1 – 4,7 µm ungekühlt, bis 5,2 µm gekühlt) verwendet wird. Unsere Bleisalzdetektoren sind photoleitend – der Detektorwiderstand verringert sich bei Beleuchtung. Die Kristallstruktur ist polykristallin und die Herstellung erfolgt mittels chemischer Abscheidung.
Pyroelectrische IR Detektoren
Pyroelektrische IR Detektoren sind thermische Detektoren - es wird ein elektrisches Signal in Abhängigkeit der Temperaturänderung auf dem Chip ausgegeben. Diese Temperaturänderung wird verursacht durch die Lichtabsorption. Als pyroelektrische Materialien setzen wir LiTaO3 und DLaTGS ein. Diese Detektoren decken das gesamte Spektrum ab. Trotzdem werden sie hauptsächlich im MWIR und LWIR eingesetzt - auch die Verwendung in der THz Region wird populär.
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