Détecteurs InGaAs
Les détecteurs Indium Gallium Arséniure (InGaAs) des séries IG17, IG22, IG26X et IG26H ont été développés avec un accent sur l'efficacité quantique.
Applications principales pour les photodiodes IR :
- Spectroscopie (et particulièrement FT-NIR)
- Surveillance laser
- Mesure de température sans contact
- Spectroscopie laser à diode réglable (TDLS)
- Spectrophotométrie, par ex. pour mesurer l'humidité
- Applications de tri
- Régulation des flammes
- Détection de gaz
Photodiodes InGaAs et InGaAs étendues de Laser Component
LASER COMPONENTS produit des photodiodes dans son site de production en Arizona. Disponibles depuis 2013, elles offrent un excellent rapport qualité-prix.
Détecteurs InGaAs disponibles :
- Série IG17 (500-1700 nm)
- Série IG22 (500-2200 nm)
- Série IG26X (500-2600 nm)
- Série IG26H (500-2600 nm)
Cette gamme de produits a été conçue avec une grande attention aux détails : L'une de nos caractéristiques les plus évidentes est la nature panchromatique de toutes nos photodiodes InGaAs, qui permettent une détection jusqu'à 500 nm. Parmi les autres avantages, citons un coefficient de température plus faible et une sensibilité hors zone réduite.
Avec une longueur d'onde de coupure de 50 % allant de > 1,65 µm pour la série IG17, à > 2,45 um pour la série IG26X, cette gamme est idéale pour les applications spectroscopiques et radiométriques. En outre, la série IG26H offre des performances similaires à celles de la série IG26X pour les cas d'utilisation en polarisation inverse où une résistance de shunt élevée est nécessaire.
Des diamètres actifs de 0,25 mm à 3 mm sont disponibles en standard, dans des boîtiers TO hermétiques avec ou sans refroidisseur Peltier intégré, sous forme de CMS, sur un support céramique, ou simplement sous forme de puce.
En plus des tailles standard de 1 mm et 2 mm, nous proposons également une taille de zone active intermédiaire : 1,3 mm. Cela permet de loger la photodiode dans un boîtier TO-46 (avec un diamètre de base de 5,3 mm), délivrant 70 % de signal en plus dans les mêmes dimensions de boîtier par rapport à une photodiode avec une surface active de 1 mm.
Des conceptions spécifiques au client sont possibles, comme l'intégration hermétique de filtres d'interférence.
NOS DÉTECTEURS D'IR
Détecteurs panchromatiques, photoconducteurs et thermiques
Photodiodes PIN InGaAs
Les photodiodes modernes PIN InGaAs sont panchromatiques et convertissent la lumière en photo-courants dans la gamme Vis-NIR. Concrètement parlant, ceci signifie une gamme de sensibilité de 500 nm à 1700 nm pour l’InGaAs standard et – par incréments – jusqu'à 2600 nm pour l’InGaAs étendu.
Détecteurs PbS et PbSe
Le PbS est un détecteur à semi-conducteur de SWIR (1 - 3.3 µm) standard tandis que le PbSe est employé dans la gamme de MWIR (1 - 4.7 µm si non refroidi ; et jusqu'à 5.2 µm une fois refroidi). Nos détecteurs de PbS et de PbS sont photoconducteurs ; la résistance du détecteur est réduite pendant l'illumination. La structure du cristal est polycrystalline et est produite par l'intermédiaire de dépôt chimique.
Détecteurs Pyroélectriques
Les détecteurs pyroélectriques sont des détecteurs thermiques (c-à-d., ils créent un signal électrique dû aux changements de température dans la puce). De tels changements de température sont provoqués par l'absorption de la lumière.
Nous employons le LiTaO3 et le DLaTGS en tant que matériaux pyroélectriques. Fondamentalement, de tels détecteurs couvrent le spectre entier.
Cependant, ils sont principalement employés pour la détection infrarouge à moyennes et grandes longueurs d’ondes (MWIR et LWIR, respectivement). En outre, de nos jours leur utilisation dans la région du THz devient de plus en plus populaire.
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