Infrarot-Halbleiterfilter sind streng genommen keine Dünnschicht-Filter, sondern Absorptionsfilter, die in ihrer Arbeitsweise auf der elektronischen Bandstruktur der Halbleiter beruhen.
Um einen Halbleiter als optischen Filter zu benutzen, müssen zwei Probleme gelöst werden. Erstens besteht immer eine restliche freie Ladungsträgerabsorption im Passbereich, zweitens bedingt der hohe Brechungsindex der Halbleiter einen großen Reflexionsverlust auf der Frontseite.
Das erste Problem hat man durch sehr reine Substrate gelöst; das zweite, indem man eine Antireflexbeschichtung auf die Frontfläche aufgebracht hat.
Halbleiterfilter haben Langpasscharakteristiken und bestehen aus beschichteten, optisch polierten Halbleiterplatten. Sie haben eine sehr hohe Absorption im Sperrbereich.
Als Standardprodukte werden folgende IR-Halbleiterfilter (InAs nur im Ring gefasst) mit einem Durchmesser von ca. 25 mm angeboten.
Abhängig vom verwendeten Material sind diese für unterschiedliche Wellenlängen einsetzbar:
- GaAs - 5% Cut-on: 900 nm
- Si - 5% Cut-on: 1040 nm
- Ge - 5% Cut-on: 1700 nm
- InAs - 5% Cut-on: 3600 nm
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