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Silizium APDs für Photonenzähler

APDs mit exzellenter Quanteneffizient - geschaffen für Photonenzähler.

Die Silizium Avalanche Photodioden der SAP Serie werden hauptsächlich für das Photon Counting eingesetzt. Höchste Effizienz und niedrigste Dunkelstromrate sind die Kennzeichen dieser Serie.

Die SAP Serie (Avalanche Fotodiode für Photonenzähler)

Die SAP-Serie basiert auf einer "Reach Through" Struktur mit exzellenter Quanteneffizienz, extrem kleinem Rauschen und Dunkelstrom. Diese APD mit einer aktiven Fläche von D=500 µm kann entweder im normalen Linearmode (VR < VBR) mit einer internen Verstärkung von 250 oder mehr, oder auch im "Geiger" Mode betrieben werden.

Beim Betrieb im "Geiger Mode" wird die APD mit einer Spannung größer der Durchbruchsspannung (VR > VBR) beschaltet, wodurch einzelnen Photonen nachgewiesen werden können.

Anwendungen

Die SAP-Serie eignet sich somit explizit für Anwendungen, die schwächste Lichtsignale bis zu einzelnen Photonen quantifizieren und zeitlich erfassen können (z.B.: LIDAR, Spektroskopie, Fluoreszenzmessungen oder Photon Counting). Die Vorteile gegenüber PMTs (Photon Multiplier) sind wie folgt:

  • Kleine kompakte Bauform
  • Sehr hohe Quanteneffizienz
  • Unempfindlich gegen magnetische Felder
  • Robust
  • Lange Lebenszeit
  • Sehr gute Zeitauflösung
  • Kostengünstig
  • Kleinere Betriebsspannung


Die SAP-Serie wird in einem modifizierten, hermetisch dichten TO-46 Gehäuse geliefert. Optional gibt es eine Version mit einstufigem thermoelektrischen Kühler im TO-37 Gehäuse oder mit zweistufigem TEC im TO-8.

Accessories

Beyond Borders

dBC-Module dBC-Module
Hochspannungsmodule für APDs, PMTs, u.a.

Mit den kostengünstigen Blockmodulen von LASER COMPONENTS ist es sehr einfach, Spannungen bis zu einigen 1000 V bereitzustellen

Informationen

zu Lawinenfotodioden

Halbleiter-Materialien

Lawinenfotodioden werden, ähnlich wie Photomultiplier, zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten eingesetzt.

Für die Wellenlängen von 250 – 1100 nm werden Si APDs eingesetzt, für die Wellenlängen von 1100 – 1700 nm wird InGaAs als Halbleiter verwendet.

Mike Hodges
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