InGaAs APD
1100 - 1700 nm

InGaAs Avalanche Photodioden (Indium-Gallium-Arsenid) detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium-APDs haben InGaAs-APDs deutlich bessere Rauscheigenschaften. In Verhältnis zu ihrer aktiven Fläche bieten sie eine höhere Bandbreite und Vorteile durch die bis 1700 nm angehobene Empfindlichkeit.

Die APDs der IAG-Serie können auch bei Verstärkungsfaktoren von M=30 betrieben werden. Bei herkömmlichen APDs ist bereits bei einer Verstärkung von ca. M=10 das Rauschen so stark, dass eine effiziente Signalerfassung nahezu unmöglich ist. Vor allem bei Anwendungen mit weniger starkem Umgebungslicht, kann man diese Detektoren mit einer großen Verstärkung betreiben und ihre Empfindlichkeit signifikant steigern. Bei 3D-Scannern und Rangefindern bedeutet das zum Beispiel einen erheblich größeren Messbereich.

Die APDs der IAG-Serie sind mit aktiven Flächen mit Durchmesser von 80 µm, 200 µm und 350 µm erhältlich.

Auf Wunsch liefern wir die APDs auch als Assemblies auf einem einstufigen oder zweistufigen thermoelektrischen Kühler (TEC) im TO37, bzw. TO8 Gehäuse.

Alle APDs in TO-46 Gehäusen können wahlweise mit optischen Fasern konfektioniert werden.

In vielen Rangefinding-Anwendungen ist ein Verstärkungsgrad von M=20 völlig ausreichend. Für diese Fälle sind die InGaAs-APDs der IAL-Serie eine kostengünstige Alternative zu den Premium-Detektoren der IAG-Serie. Sie sind für die Detektion von Wellenlängen zwischen 800 nm und 1700 nm entwickelt und erzielen über fast den gesamten Bereich eine Quanteneffizienz von 70%. Die höchste Empfindlichkeit erreichen sie bei der Standard-LiDAR Wellenlänge 1550 nm.

Die APDs der IAL-Serie haben eine aktive Fläche von 200 µm und sind in folgenden Gehäusevarianten verfügbar:

• hermetisch versiegeltes TO-46-Gehäuse
• SMD im M6-Gehäuse
• mit Faser-Pigtail