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LASER COMPONENTS GmbH
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Si APDs

Silizium Avalanche Photodioden werden für den Wellenlängenbereich zwischen 250 nm und 1100 nm eingesetzt. Durch den Lawineneffekt eignen sie sich zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten.

APDs von LASER COMPONENTS
Detektor mit integrierten Filter
Kundenspezifisches Design

Silizium-APDs

Die Si-Avalanche Photodioden eignen sich je nach verwendeter Halbleiterstruktur für den Spektralbereich von 255 nm bis 1100 nm. Durchmesser: von 230 µm bis 16 mm.

Si APDs

Seit Gründung der Laser Components Detector Group Inc. im Jahr 2004 haben wir ein Standard-Programm an qualitativ hochwertigen Lawinendioden sowie low cost Avalanche Photodioden aufgebaut. Die aktive APD-Fläche reicht von D= 230 µm bis D= 3,0 mm. Großflächige APDs mit Detektorflächen-Durchmessern von 5 mm, 10 mm und 16 mm werden von unseren Partner Luna Innovations Incorporated hergestellt.

Anwendungen

Je nach Type und Spezifikationen finden die Avalanche Fotodioden Einsatz bei der Entfernungsmessung, Geschwindigkeitskontrolle, Laser-Radar, Sicherheitsscanner, Spektroskopie, Fluoreszenzmessungen oder in Test- und Messsystemen für Industrie, Militär- und Medizintechnik. Der Avalanche-Effekt zeichnet sich immer dann aus, wenn wenig Licht zur Verfügung steht.

Geliefert werden die APDs in verschiedenen TO-Gehäusen, optional mit Linsen-Kappe oder integrierten Filter, mit TEC, im SMD-Gehäuse oder einfach auf einem Keramiksubstrat. Neben einem umfangreichen Standard Programm liegt unsere Stärke in kundenspezifischen Entwicklungen.

Alle APDs im TO-46 Gehäuse können wahlweise mit optischer Faser konfektioniert werden.

Gerne unterstützen wir Sie bei der Auswahl der optimalen APD für Ihre Anwendung.

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Die SAE-Serie hat eine Epitaxie-Struktur und wird optimiert für den roten (red enhanced) als auch für den NIR Spektralbereich (NIR enhanced) angeboten. Diese APDs sind kostengünstig und haben eine sehr große Verstärkung und Dynamikbereich.

Die SAR-Serie basiert auf einer Reach Through Struktur mit einer hohen Empfindlichkeit im gesamten Spektralbereich von 400 nm bis 1100 nm, bei gleichzeitig extrem schnellen Anstiegs- und Abfallzeiten von typisch 450 ps. Diese APDs zeichnen sich durch extrem niedriges Rauschen und niedrigen Dunkelstrom aus. Bei dieser Serie werden Lightpipe-Versionen angeboten, bei denen in die Kappe eine Lichtfaser integriert ist, die das Licht direkt auf den Chip leitet.

Speziell selektierte APDs (SARP-Serie) können zum anderen auch als Photonenzähler im "Geigermodus" (VR > VBR) verwendet werden, wobei ein einzelnes Photoelektron einen Lawinenpuls von ca. 108 Ladungsträgern triggert. Diese APD eignet sich besonders für Spektroskopie, Fluoreszenzmessungen, in der Medizintechnik und high end LIDAR Anwendungen.

Bei LIDAR-Messungen sendet eine 905 nm Impulslaserdiode einen Laserpuls aus, der an einem Objekt reflektiert und über eine Optik auf den APD Chip fokussiert wird. Um ein optimales Signal/Rausch Verhältnis zu erzeugen, musste zur Unterdrückung des Umgebungslichts bislang ein externer Bandpassfilter vor die APD oder die Optik montiert werden, der das Umgebungslicht unterdrückt. Bei der SARF-Serie ist dieser Filter bereits im TO-Gehäuse integriert.

Die Avalanche Photodioden der SAHA Serie sind kostengünstige Komponenten im besonders kleinen SMD Gehäuse. Die reaktionsschnellen APDs wurden für Entfernungsmessungen bei den Wellenlängen 850 nm und 905 nm optimiert. Optional ist die SAHA Serie auch mit einem integrierten 905 nm Bandpassfilter erhältlich.

Ihr Ansprechpartner

Dr. Mike Hodges

+49 (0) 8142 2864-50

m.hodges@lasercomponents.com

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