InGaAs APD 1100

InGaAs APD
1100 - 1700 nm

Efficacité maximale grâce à un excellent rapport signal/bruit.

Nos photodiodes avalanche InGaAs (APD) sont conçues pour une plage spectrale allant de 1100 nm à 1700 nm. Les produits de la série IAG se caractérisent par un rapport signal/bruit particulièrement bon et supportent une amplification de plus de 30.

Photodiodes Avalanche InGaAs

Les photodiodes avalanche InGaAs (arséniure d'indium-gallium) détectent dans le domaine spectral de 1100 nm à 1700 nm. Par rapport aux APD germanium, les APD InGaAs ont des propriétés de bruit nettement meilleures. Par rapport à leur zone active, ils offrent une bande passante plus large et des avantages dus à une sensibilité accrue jusqu'à 1700 nm.

Série IAL – L’alternative Abordable

Dans de nombreuses applications de télémétrie, un gain de M=20 est amplement suffisant. Pour ce type de cas, les APD InGaAs de la série IAL sont une alternative abordable aux détecteurs premium de la série IAG. Elles ont été développées pour la détection de longueurs d’onde entre 800 nm et 1700 nm et permettent d’obtenir une efficacité quantique de 70 % dans presque tout le spectre. Elles atteignent leur sensibilité maximale à la longueur d’onde LiDAR standard de 1550 nm.

Les APD de la série IAL possèdent une surface active de 200 µm et sont disponibles avec les variantes de boîtier suivantes :

boîtier TO-46 hermétiquement scellé
SMD dans un boîtier M6
avec fibre amorce

Série IAG - Réduire le Bruit

Les APD de la série IAG peuvent également fonctionner avec un facteur d'amplification de M=30. Le bruit dans les APD conventionnelles est déjà si fort avec une amplification d'environ M=10 qu'il est presque impossible d'obtenir une détection efficace du signal. En particulier dans les applications où la lumière ambiante est moins intense, ces détecteurs peuvent fonctionner avec une amplification élevée et leur sensibilité peut être augmentée de manière significative. Pour les scanners 3D et les télémètres, par exemple, cela signifie qu'il est possible d'obtenir une plage de mesure considérablement plus grande.

Les APD de la série IAG sont disponibles avec des zones actives ayant un diamètre de 80 µm, 200 µm ou 350 µm.

Sur demande, nous pouvons également fournir ces APD sous forme d'assemblage avec un refroidisseur thermoélectrique (TEC) à un ou deux étages dans un boîtier TO-37 ou TO-8.

Toutes les APD en boîtier TO-46 peuvent être assemblées avec des fibres optiques.

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Avec les modules faibles coûts compacts de LASER COMPONENTS il est aisé de fournir des tensions jusqu’à plusieurs 1000 V

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sur les photodiodes à avalanche

Matériel semi-conducteur

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles.

Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.